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PDF NTE2643 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | NTE2643 | |
| Descripción | Silicon NPN Transistor / VHF/UHF Low Noise Amp (Surface Mount) | |
| Fabricantes | NTE | |
| Logotipo |  |
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NTE2643
Silicon NPN Transistor,
VHF/UHF Low Noise Amp
(Surface Mount)
Features:
D Low Noise Figure, High Gain
D NF = 1.1dB, |S21e|2 = 13dB (f = 1GHz)
Absolute Maximum Ratings: (TA = +25°C unless otherwise specified)
Collector–Base Voltage, VCBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20V
Collector–Emitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12V
Emitter–Base Voltage, VEBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3V
Collector Current, IC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 80mA
Base Current, IB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40mA
Collector Power Dissipation, PC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100mW
Operating Junction Temperature, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +125°C
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +125°C
Electrical Characteristics: (TA = +25°C unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Test Conditions
Min Typ Max Unit
Collector Cutoff Current
Emitter Cutoff Current
ICBO
IEBO
VCB = 10V, IE = 0
VEB = 1V, IC = 0
– – 1 µA
– – 1 µA
DC Current Gain
hFE VCE = 10V, IC = 20mA
80 – 240
Output Capacitance
Cob VCB = 10V, IE = 0, f = 1MHz, Note 1 – 1.1 1.6 pF
Reverse Transfer Capacitance Cre
– 0.65 1.05 pF
Transition Frequency
fT VCE = 10V, IC = 20mA
5 7 – GHz
Insertion Gain
|S21e|2 VCE = 10V, IC = 20mA, f = 500MHz – 18 – dB
VCE = 10V, IC = 20mA, f = 1GHz
9.5 13.0 – dB
Noise Figure
NF VCE = 10V, IC = 5mA, f = 500MHz – 1 – dB
VCE = 10V, IC = 5mA, f = 1GHz
– 1.1 2.0 dB
Note 1. Cre is measured by 3 terminal method with capacitance bridge.
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| NTE264 | Silicon Complementary Transistors | NTE |
| NTE2640 | Silicon NPN Transistor Color TV Horizontal Deflection Output | NTE |
| NTE2641 | Silicon NPN Transistor Horizontal Deflection Output for High Resolution Displays & Color TVs | NTE |
| NTE2642 | Silicon NPN Transistor Horizontal Deflection Output High Speed Switch | NTE |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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