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PDF NTE261 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | NTE261 | |
| Descripción | Silicon Complementary Transistors Darlington Power Amplifier | |
| Fabricantes | NTE | |
| Logotipo |  |
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NTE261 (NPN) & NTE262 (PNP)
Silicon Complementary Transistors
Darlington Power Amplifier
Description:
The NTE261 (NPN) and NTE262 (PNP) are complementary silicon Darlington power transistors in
a TO220 type package designed for general purpose amplifier and low–speed switching applications.
Features:
D High DC Current Gain: hFE = 2500 Typ @ IC = 4A
D Collector–Emitter Sustaining Voltage: VCEO(sus) = 100V Min @ 100mA
D Low Collector–Emitter Saturation Voltage:
VCE(sat) = 2V Max @ IC = 3A
= 4V Max @ IC = 5A
D Monolithic Construction with Built–In Base–Emitter Shunt Resistor
Absolute Maximum Ratings:
Collector–Emitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100V
Collector–Base Voltage, VCB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100V
Emitter–Base Voltage, VEB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V
Collector Current, IC
Continuous . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5A
Peak . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8A
Base Current, IB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 120mA
Total Power Dissipation (TC = +25°C), PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 65W
Derate Above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.52W/°C
Total Power Dissipation (TA = +25°C), PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2W
Derate Above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.016W/°C
Unclamped Inductive Load Energy (Note 1), E . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50mJ
Operating Junction Temperature range, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +150°C
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +150°C
Thermal Resistance, Junction–to–Case, RthJC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.92°C/W
Thermal Resistance, Junction–to–Ambient, RthJA . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 62.5°C/W
Note 1. IC = 1A, L = 100mH, P.R.F. = 10Hz, VCC = 20V, RBE = 100Ω.
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| NTE26 | Silicon NPN Transistor Low Noise Audio Amplifier | NTE |
| NTE261 | Silicon Complementary Transistors Darlington Power Amplifier | NTE |
| NTE262 | Silicon Complementary Transistors Darlington Power Amplifier | NTE |
| NTE263 | Silicon Complementary Transistors Darlington Power Amplifier | NTE |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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