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PDF NTE2591 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | NTE2591 | |
| Descripción | Silicon NPN Transistor High Voltage Amp/Switch | |
| Fabricantes | NTE | |
| Logotipo |  |
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NTE2591
Silicon NPN Transistor
High Voltage Amp/Switch
Features:
D High Breakdown Voltage, High Reliability
D Low Output Capacitance
D Wide ASO Range
Absolute Maximum Ratings: (TA = +25°C unless otherwise specified)
Collector–Base Voltage, VCBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2000V
Collector–Emitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 900V
Emitter–Base Voltage, VEBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V
Collector Current, IC
Continuous . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20mA
Peak . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60mA
Collector Power Dissipation, PC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.2W
Operating Junction Temperature, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +150°C
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C
Electrical Characteristics: (TA = +25°C unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Test Conditions
Collector Cutoff Current
Emitter Cutoff Current
DC Current Gain
Gain–Bandwidth Product
Output Capacitance
Collector Emitter Saturation Voltage
Base Emitter Saturation Voltage
Collector Base Breakdown Voltage
Collector Emitter Breakdown Voltage
Emitter Base Breakdown Voltage
ICBO VCB = 900V, IE = 0
IEBO VEB = 4V, IC = 0
hFE VCE = 5V, IC =1mA
fT VCE = 10V, IC = 1mA
Cob VCB = 100V, f = 1MHz
VCE(sat) IC = 2mA, IB = 400µA
VBE(sat) IC =2mA, IB = 400µA
V(BR)CBO IC = 1mA, IE = 0
V(BR)CEO IC = 1mA, RBE = ∞
V(BR)EBO IE = 1mA, IC = 0
Min Typ Max Unit
– – 1.0 µA
– – 1.0 µA
20 50 120
– 6 – MHz
– 1.6 – pF
––5V
––2V
2000 – – V
900 – – V
5––V
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| NTE2590 | Silicon NPN Transistor High Voltage Amp/Switch | NTE |
| NTE2591 | Silicon NPN Transistor High Voltage Amp/Switch | NTE |
| NTE2592 | Silicon NPN Transistor Horizontal Output for HDTV | NTE |
| NTE2593 | Silicon NPN Transistor High Voltage Amp/Switch | NTE |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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