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PDF NTE249 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | NTE249 | |
| Descripción | Silicon Complementary Transistors Darlington Power Amplifier | |
| Fabricantes | NTE | |
| Logotipo |  |
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NTE249 (NPN) & NTE250 (PNP)
Silicon Complementary Transistors
Darlington Power Amplifier
Description:
The NTE249 (NPN) and NTE250 (PNP) are silicon complementary Darlington transistors in a TO3
type case designed for use as output devices in complementary general purpose amplifier applications.
Features:
D High DC Current Gain: hFE = 3500 Typ @ IC = 10A
D Monolithic Construction with Built–In Base–Emitter Shunt Resistors
Absolute Maximum Ratings:
Collector–Emitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100V
Collector–Base Voltage, VCB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100V
Emitter–Base Voltage, VEB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V
Collector Current, IC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16A
Base Current, IB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 500mA
Total Power Dissipation (TC = +25°C), PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 150W
Derate Above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.857W/°C
Operating Junction Temperature Range, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +200°C
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +200°C
Thermal Resistance, Junction–to–Case, RthJC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.17°C/W
Electrical Characteristics: (TC = +25°C unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Test Conditions
OFF Characteristics
Collector–Emitter Breakdown Voltage
Collector–Emitter Leakage Current
Emitter Cutoff Current
V(BR)CEO IC = 100mA, IB = 0, Note 1
ICEO VCE = 50V, IE = 0
ICER VCB = 100V, RBE = 1kΩ
VCB = 100V, RBE = 1kΩ, TA = +150°C
IEBO VBE = 5V, IC = 0
Note 1. Pulse Test: Pulse Width = 300µs, Duty Cycle = 2%
Min Typ Max Unit
100 –
––
––
––
––
–V
3.0 mA
1.0 mA
5.0 mA
5.0 mA
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| NTE24 | Silicon Complementary Transistors General Purpose Amplifier / Switch | NTE |
| NTE240 | Silicon Complementary Transistors | NTE |
| NTE2401 | Silicon PNP Transistor RF Stages in FM Front Ends | NTE |
| NTE2402 | Silicon Complementary Transistors Low Noise / UHF/VHF Amplifier | NTE |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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