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PDF NTE2431 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | NTE2431 | |
| Descripción | Silicon PNP Transistor High Voltage Amp/Switch (Compl to NTE2430) | |
| Fabricantes | NTE | |
| Logotipo |  |
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NTE2431
Silicon PNP Transistor
High Voltage Amp/Switch
(Compl to NTE2430)
Description:
The NTE2431 is a silicon PNP transistor in a SOT–89 type surface mount package designed for use
in amplifier and switching switching applications.
Absolute Maximum Ratings:
Collector–Base Voltage (Open Emitter), VCBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 350V
Collector–Emitter Voltage (Open Base), VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 300V
Emitter–Base Voltage (Open Collector), VEBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6V
DC Collector Current, IC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1A
Base Current, IB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 500mA
Total Power Dissipation (TA ≤ +25°C, Note 1), Ptot . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1W
Operating Junction Temperature, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +150°C
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +150°C
Thermal Resistance, Junction–to–Ambient (Note 1), RthJA . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 125K/W
Thermal Resistance, Junction–to–Tab, RthJTAB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10K/W
Note 1. Device mounted on a ceramic substrate; area = 2.5cm2, thickness = 0.7mm.
Electrical Characteristics: (TJ = +25°C unles otherwise specified)
Parameter
Symbol
Test Conditions
Collector Cutoff Current
Emitter Cutoff Current
Collector–Emitter Breakdown Voltage
Collector–Emitter Saturation Voltage
DC Current Gain
Collector Capacitance
Transitional Frequency
ICBO VCB = 280V, IE = 0
ICEO VCE = 250V, IB = 0
IEBO VEB = 6V, IC = 0
V(BR)CEO IC = 50mA, IB = 0, L = 25mH
VCE(sat) IC = 50mA, IB = 5mA
hFE VCE = 10V, IC = 50mA
Cc IE = Ie = 0, VCB = 10, f = 1MHz
fT VCE = 10V, IC = 10mA, f = 30MHz
Min Typ Max Unit
– – 1 µA
– – 50 µA
– – 20 µA
300 – – V
––2V
30 – 120
– – 15 pF
15 –
– MHz
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| NTE243 | Silicon Complementary Transistors Darlington Power Amplifier | NTE |
| NTE2430 | Silicon NPN Transistor High Voltage Amp/Switch (Compl to NTE2431) | NTE |
| NTE2431 | Silicon PNP Transistor High Voltage Amp/Switch (Compl to NTE2430) | NTE |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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