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PDF NTE2413 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | NTE2413 | |
| Descripción | Silicon PNP Transistor General Purpose / High Voltage Amp / (Compl to NTE2412) | |
| Fabricantes | NTE | |
| Logotipo |  |
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NTE2413
Silicon PNP Transistor
General Purpose, High Voltage Amp,
(Compl to NTE2412)
Description:
The NTE2413 is a silicon PNP transistor in an SOT–23 type surface mount package designed for use
primarily in telephone and professional communication equipment.
Absolute Maximum Ratings:
Collector–Base Voltage, VCBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 300V
Collector–Emitter Voltage (RBE = 2.7kΩ), VCER . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 300V
Emitter–Base Voltage, VEBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V
Collector Current, IC
Continuous . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50mA
Peak . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100mA
Total Power Dissipation (TA ≤ +35°C, Note 1), Ptot . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 310mW
Operating Junction Temperature, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +150°C
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +150°C
Thermal Resistance, Junction–to–Tab, RthJT . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50K/W
Thermal Resistance, Tab–to–Soldering Points, RthTS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 260K/W
Thermal Resistance, Soldering Points–to–Ambient (Note 1), RthSA . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60K/W
Note 1. Mounted on a ceramic substrate 2.5cm2 x 0.7mm.
Electrical Characteristics: (TJ = +25°C unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Test Conditions
Collector Cutoff Current
Collector–Emitter Saturation Voltage
DC Current Gain
Transition Frequency
ICBO
ICER
VCE(sat)
hFE
fT
VCB = 200V, IE = 0
VCE = 250V, RBE = 2.7kΩ
VCE = 200V, RBE = 2.7kΩ,
TJ = +150°C
IC = 30mA, IB = 5mA
VCE = 20V, IC = 25mA
VCE = 10V, IE = 10mA,
f = 35MHz
Capacitance
Cre VCE = 30V, IC = 0, f = 1MHz
Min Typ Max Unit
– – 10 nA
– – 50 nA
– – 10 µA
– – 0.8 V
50 – –
60 – – MHz
– – 1.6 pF
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| NTE241 | Silicon Complementary Transistors Audio Power Amplifier / Switch | NTE |
| NTE2410 | Silicon NPN Transistor High Voltage Amp/Driver (Comp to NTE2411) | NTE |
| NTE2411 | Silicon PNP Transistor High Voltage Amp/Driver (Compl to NTE2410) | NTE |
| NTE2412 | Silicon NPN Transistor General Purpose / High Voltage Amp / (Compl to NTE2413) | NTE |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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