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PDF NTE2411 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | NTE2411 | |
| Descripción | Silicon PNP Transistor High Voltage Amp/Driver (Compl to NTE2410) | |
| Fabricantes | NTE | |
| Logotipo |  |
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NTE2411
Silicon PNP Transistor
High Voltage Amp/Driver
(Compl to NTE2410)
Description:
The NTE2411 is a silicon PNP transistor in an SOT–23 type surface mount case designed for use in
high voltage applications.
Absolute Maximum Ratings:
Collector–Emitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 150V
Collector–Base Voltage, VCBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 160V
Emitter–Base Voltage, VEBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V
Continuous Collector Current, IC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 500mA
Total Power Dissipation (TA = +25°C, FR–5 Board, Note 1), PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 225mW
Derate Above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.8mW/°C
Thermal Resistance, Junction–to–Ambient, RthJA . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 556°C/mW
Total Power Dissipation (TA = +25°C, Alumina Substrate, Note 2), PD . . . . . . . . . . . . . . . . . 300mW
Derate Above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.4mW/°C
Thermal Resistance, Junction–to–Ambient, RthJA . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 417°C/mW
Operating Junction Temperature Range, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C
Note 1. FR–5 = 1.0 x 0.75 x 0.62 in.
Note 2. Alumina = 0.4 x 0.3 x 0.024 in. 99.5% alumina.
Electrical Characteristics: (TA = +25°C unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Test Conditions
OFF Characteristics
Collector–Emitter Breakdown Voltage
Collector–Base Breakdown Voltage
Emitter–Base Breakdown Voltage
Collector Cutoff Current
V(BR)CEO
V(BR)CBO
V(BR)EBO
ICBO
IC = 1mA, IB = 0
IC = 100µA, IE = 0
IE = 10µA, IC = 0
VCB = 100V, IE = 0
VCB = 100V, IE = 0, TA = +100°C
Min Typ Max Unit
150 –
160 –
5–
––
––
–V
–V
–V
50 nA
50 µA
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| NTE241 | Silicon Complementary Transistors Audio Power Amplifier / Switch | NTE |
| NTE2410 | Silicon NPN Transistor High Voltage Amp/Driver (Comp to NTE2411) | NTE |
| NTE2411 | Silicon PNP Transistor High Voltage Amp/Driver (Compl to NTE2410) | NTE |
| NTE2412 | Silicon NPN Transistor General Purpose / High Voltage Amp / (Compl to NTE2413) | NTE |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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