PDF NTE2409 Data sheet ( Hoja de datos )

Número de pieza	NTE2409
Descripción	Silicon PNP Transistor General Purpose Amp / Surface Mount (Compl to NTE2408)
Fabricantes	NTE
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No Preview Available ! NTE2409 Silicon PNP Transistor General Purpose Amp, Surface Mount (Compl to NTE2408) Description: The NTE2409 is a silicon PNP general purpose transistor in a SOT–23 type surface mount package designed for use in driver stages of audio amplifiers in thick and thin–film hybrid circuits. Absolute Maximum Ratings: Collector–Base Voltage, VCBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 80V Collector–Emitter Voltage, VCEX . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 80V Collector–Emitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 65V Emitter–Base Voltage, VEBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V Collector Current, IC Continuous . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100mA Peak . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200mA Peak Emitter Current, IEM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200mA Peak Base Current, IBM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200mA Total Power Dissipation (TA = +60°C, Note 1), Ptot . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200mW Junction Temperature, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +150°C Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65 ° to +150°C Thermal Resistance, Junction–to–Tab, RthJT . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60K/W Thermal Resistance, Tab–to–Soldering Points, RthTS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 280K/W Thermal Resistance, Soldering Points–to–Ambient (Note 1), RthSA . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 90K/W Note 1. Mounted on a ceramic substrate .314 (8mm) x .393 (10mm) x .027 (0.7mm). Electrical Characteristics: (TJ = +25°C unless otherwise specified) Parameter Symbol Test Conditions Collector Cutoff Current Base–Emitter Voltage Collector–Emitter Saturation Voltage ICBO VBE VCE(sat) VCB = 30V, IE = 0 VCB = 30V, IE = 0, TJ = +150°C VCE = 5V, IC = 2mA, Note 2 VCE = 5V, IC = 10mA, Note 2 IC = 10mA, IB = 0.5mA, Note 3 IC = 100mA, IB = 5mA, Note 3 Min Typ Max Unit – 1 15 nA – – 4 µA 600 650 750 mV – – 820 mV – 75 300 mV – 250 650 mV Note 2. VBE decreases by about 2mV/K with increasing temperature. Note 3. VBE(sat) decreases by about 1.7mV with increasing temperature. 1 page

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Hoja de datos destacado

Número de pieza	Descripción	Fabricantes
NTE240	Silicon Complementary Transistors	NTE
NTE2401	Silicon PNP Transistor RF Stages in FM Front Ends	NTE
NTE2402	Silicon Complementary Transistors Low Noise / UHF/VHF Amplifier	NTE
NTE2403	Silicon Complementary Transistors	NTE

Número de pieza	Descripción	Fabricantes
SLA6805M	High Voltage 3 phase Motor Driver IC.	Sanken
SDC1742	12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.	Analog Devices

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