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PDF NTE2406 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | NTE2406 | |
| Descripción | Silicon NPN Transistor General Purpose Amp / Surface Mount (Compl to NTE2407) | |
| Fabricantes | NTE | |
| Logotipo |  |
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NTE2406
Silicon NPN Transistor
General Purpose Amp, Surface Mount
(Compl to NTE2407)
Absolute Maximum Ratings: (TA = +25°C unless otherwise specified)
Collector–Base Voltage, VCBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 75V
Collector–Emitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40V
Emitter–Base Voltage, VEBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6V
Continuous Collector Current, IC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600mA
Total Device Dissipation (FR–5 Board, Note 1), PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 225mW
Derate above +25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.8mW/°C
Thermal Resistance, Junction–to–Ambient (FR–5 Board, Note 1), RthJA . . . . . . . . . . . . . . 556°C/W
Total Device Dissipation (Alumina Substrate, Note 2), PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 300mW
Derate above +25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.4mW/°C
Thermal Resistance, Junction–to–Ambient (Alumina Substrate, Note 2), RthJA . . . . . . . . 417°C/W
Operating Junction Temperature Range, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55 ° to +150°C
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55 ° to +150°C
Note 1. FR–5 = 1.000 (25.4mm) x .750 (19.05mm) x .062 (1.57mm).
Note 2. Alumina = .400 (10.2mm) x .300 (7.62mm) x .024 (.609mm), 99.5% alumina.
Electrical Characteristics: (TA = +25°C unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Test Conditions
OFF Characteristics
Collector–Base Breakdown Voltage
Collector–Emitter Breakdown Voltage
Emitter–Base Breakdown Voltage
Collector Cutoff Current
Emitter Cutoff Current
Base Cutoff Current
V(BR)CBO
V(BR)CEO
V(BR)EBO
ICBO
ICEX
IEBO
IBL
IC = 10µA, IE = 0
IC = 10mA, IB = 0
IE = 10µA, IC = 0
VCB = 60V, IE = 0
VCB = 60V, IE = 0, TA = +125°C
VCE = 60V, VEB(off) = 3V
VEB = 3V, IC = 0
VCE = 60V, VEB(off) = 3V
Min Typ Max Unit
75 – – V
40 – – V
6––V
– – 0.01 µA
– – 10 µA
– – 10 nA
– – 10 nA
– – 20 nA
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| NTE240 | Silicon Complementary Transistors | NTE |
| NTE2401 | Silicon PNP Transistor RF Stages in FM Front Ends | NTE |
| NTE2402 | Silicon Complementary Transistors Low Noise / UHF/VHF Amplifier | NTE |
| NTE2403 | Silicon Complementary Transistors | NTE |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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