DataSheetWiki


NTE2395 fiches techniques PDF

NTE - MOSFET N-Ch / Enhancement Mode High Speed Switch

Numéro de référence NTE2395
Description MOSFET N-Ch / Enhancement Mode High Speed Switch
Fabricant NTE 
Logo NTE 





1 Page

No Preview Available !





NTE2395 fiche technique
NTE2395
MOSFET
NCh, Enhancement Mode
High Speed Switch
TO220 Type Package
Features:
D Dynamic dv/dt Rating
D +1755C Operating Temperature
D Fast Switching
D Ease of Paralleling
D Simple Drive Requirements
D
G
S
Absolute Maximum Ratings:
Continuous
TTCC
=
=
+D2ra5i5nCC(uNroretent1()V.G.S.
+1005C . . . . . . . . . .
=
..
..
10V),
.....
.....
.ID. .
...
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
50A
36A
Pulsed Drain Current (Note 2), IDM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200A
Power
DDeisrsaitpeaLtiionnea(TrlCy
A=b+o2v5e5C25),5PCD
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
. . 150W
1.0W/5C
GatetoSource Voltage, VGS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +20V
Single Pulse Avalanche Energy (Note 3), EAS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100mJ
Peak Diode Recovery dv/dt (Note 4), dv/dt . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4.5V/ns
Operating Junction Temperature Range, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 555 to +1755C
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 555 to +1755C
Lead Temperature (During Soldering, 1.6mm from case for 10sec), TL . . . . . . . . . . . . . . . . . +3005C
Mounting Torque (632 or M3 Screw) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10 lbfin (1.1Nm)
Thermal Resistance, JunctiontoCase, RthJC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.05C/W
Thermal Resistance, JunctiontoAmbient, RthJA . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 625C/W
Typical Thermal Resistance, CasetoSink (Flat, Greased Surface), RthCS . . . . . . . . . . . . 0.55C/W
Note 1. Current limited by the package, (Die Current = 51A).
Note 2. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature.
Note 3. VDD = 25V, starting TJ = +255C, L = 443H, RG = 25+ , IAS = 51A
Note 4. ISD 3 51A, di/dt 3 250A/3s, VDD 3 V(BR)DSS, TJ 3 +1755C
Rev. 1013

PagesPages 3
Télécharger [ NTE2395 ]


Fiche technique recommandé

No Description détaillée Fabricant
NTE239 Silicon Controlled Switch (SCS) NTE
NTE
NTE2390 MOSFET N-Channel Enhancement Mode / High Speed Switch NTE
NTE
NTE2392 MOSFET N-Channel Enhancement Mode / High Speed Switch NTE
NTE
NTE2393 MOSFET N-Channel Enhancement Mode / High Speed Switch NTE
NTE

US18650VTC5A

Lithium-Ion Battery

Sony
Sony
TSPC106

PCI Bus Bridge Memory Controller

ATMEL
ATMEL
TP9380

NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

Advanced Semiconductor
Advanced Semiconductor


www.DataSheetWiki.com    |   2020   |   Contactez-nous  |   Recherche