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PDF NTE2388 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | NTE2388 | |
| Descripción | MOSFET N-Channel Enhancement Mode / High Speed Switch | |
| Fabricantes | NTE | |
| Logotipo |  |
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NTE2388
MOSFET
N–Channel Enhancement Mode,
High Speed Switch
Description:
The NTE2388 is an N–Channel Enhancement Mode Power MOS Field Effect Transistor in a TO220
type package designed for low voltage, high speed power switching applications such as switching
regulators, converters, solenoid, and relay drivers.
Features:
D Silicon Gate for Fast Switching Speeds
D Low rDS(on) to Minimize On–Losses. Specified at Elevated Temperatures.
D Rugged – SOA is Power Dissipation Limited
D Source–to–Drain Diode Characterized for Use With Inductive Loads
Absolute Maximum Ratings:
Drain–Source Voltage, VDSS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200V
Drain–Gate Voltage (RGS = 20kΩ), VDGR . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200V
Gate–Source Voltage, VGS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ±20V
Drain Current, ID
Continuous
TC = +25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18A
TC = +100°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11A
Peak
TC = +25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 72A
Total Power Dissipation (TC = +25°C), PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 125W
Derate Above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1W/°C
Maximum Operating Junction Temperature Range, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C
Maximum Thermal Resistance, Junction–to–Case, RthJC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1°C/W
Maximum Thermal Resistance, Junction–to–Ambient, RthJA . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 62.5°C/W
Maximum Lead Temperature (During soldering, 1/8” from case for 5sec), TL . . . . . . . . . . . . +300°C
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| NTE238 | Silicon NPN Transistor Color TV / Horizontal Output | NTE |
| NTE2380 | Complementary Silicon Gate MOSFETs Enhancement Mode / High Speed Switch | NTE |
| NTE2381 | Complementary Silicon Gate MOSFETs | NTE |
| NTE2382 | MOSFET N-Channel Enhancement Mode / High Speed Switch (Compl to NTE2383) | NTE |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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