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PDF NTE2386 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | NTE2386 | |
| Descripción | MOSFET N-Channel Enhancemen Mode / High Speed Switch | |
| Fabricantes | NTE | |
| Logotipo |  |
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NTE2386
MOSFET
N–Channel Enhancemen Mode,
High Speed Switch
Description:
The NTE2386 Power MOSFET features advantages such as voltage control, very fast switching,
ease of paralleling and temperature stability, and is suited for applications such as switching power
supplies, motor controls, inverters, choppers, audio amplifiers, and high energy pulse circuits.
Features:
• Repetitive Avalanche Ratings
• Dynamic dv/dt Rating
• Simple Drive Requirements
• Ease of Paralleling
Absolute Maximum Ratings:
Continuous Drain Current, ID
(TC = +25°C) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6.2A
(TC = +100°C) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.8A
Pulsed Drain Current (Note 1), IDM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25A
Maximum Power Dissipation (TC = +25°C), PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 125W
(Derate linearly above +25°C) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.0W/°C
Gate–to–Source Voltage, VGS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ±20V
Single Pulse Avalanche Energy (Note 2), EAS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 670mJ
Avalanche Current (Repetitive or Non–Repetitive, Note 1), IAR . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6.2A
Repetitive Avalanche Energy (Note 1), EAR . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13mJ
Peak Diode Recovery (Note 3), dv/dt . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.0V/mS
Operating Junction Temperature Range, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C
Lead Temperature (During Soldering, 0.063 in. (1.6mm) from case for 10s), TL . . . . . . . . . . +300°C
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| NTE238 | Silicon NPN Transistor Color TV / Horizontal Output | NTE |
| NTE2380 | Complementary Silicon Gate MOSFETs Enhancement Mode / High Speed Switch | NTE |
| NTE2381 | Complementary Silicon Gate MOSFETs | NTE |
| NTE2382 | MOSFET N-Channel Enhancement Mode / High Speed Switch (Compl to NTE2383) | NTE |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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