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NTE2379 fiches techniques PDF

NTE - MOSFET N-Channel / Enhancement Mode High Speed Switch

Numéro de référence NTE2379
Description MOSFET N-Channel / Enhancement Mode High Speed Switch
Fabricant NTE 
Logo NTE 





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NTE2379 fiche technique
NTE2379
MOSFET
N–Channel, Enhancement Mode
High Speed Switch
Features:
D Dynamic dv/dt Rating
D Repetitive Avalanche Rated
D Fast Switching
D Ease of Paralleling
D Simple Drive Requirements
Absolute Maximum Ratings:
Gate–Source Voltage, VGS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ±20V
Drain Current, ID
Continuous (VGS = 10V)
TC = +25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6.2A
TC = +100°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.9A
Pulsed (Note 1) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25A
Gate Current (Pulsed), IGM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ±1.5A
Single Pulsed Avalanche Energy (Note 2), EAS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 570mJ
Avalanche Current (Note 1), IAR . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6.2A
Repetitive Avalanche Energy (Note 1), EAR . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13mJ
Peak Diode Recovery dv/dt (Note 3), dv/dt . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3V/ns
Total Power Dissipation (TC = +25°C), PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 125W
Derate Above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.0W/°C
Operating Junction Temperature Range, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C
Maximum Lead Temperature (During Soldering, 1/16” from case, 10sec), TL . . . . . . . . . . . . +300°C
Thermal Resistance:
Maximum Junction–to–Case, RthJC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.0°C/W
Typical Case–to–Sink (Mounting surface flat, smooth, and greased), RthCS . . . . . . 0.5°C/W
Maximum Junction–to–Ambient (Free Air Operation), RthJA . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 62°C/W
Note 1. Repetitive Rating: Pulse width limited by maximum junction temperature.
Note 2. VDD = 50V, starting TJ = +25°C, l = 27mH, RG = 25, IAS = 6.2A.
Note 3. ISD 6.2A, di/dt 80A/µA, VDD V(BR)DSS, TJ +150°C.

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