|
|
PDF NTE2367 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | NTE2367 | |
| Descripción | Silicon Complementary Transistors Digital w/2 Built-In 4.7k Bias Resistors | |
| Fabricantes | NTE | |
| Logotipo |  |
|
Hay una vista previa y un enlace de descarga de NTE2367 (archivo pdf) en la parte inferior de esta página. Total 2 Páginas | ||
|
No Preview Available !
NTE2367 (NPN) & NTE2368 (PNP)
Silicon Complementary Transistors
Digital w/2 Built–In 4.7k Bias Resistors
Features:
D Built–In Bias Resistor (R1 = 4.7kΩ, R2 = 4.7kΩ)
D Small–Sized Package (TO92 type)
Applications:
D Switching Circuit
D Inverter
D Interface Circuit
D Driver
Absolute Maximum Ratings: (TA = +25°C unless otherwise specified)
Collector to Base Voltage, VCBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50V
Collector to Emitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50V
Emitter to Base Voltage, VEBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10V
Collector Current, IC
Continuous . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100mA
Peak . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200mA
Collector Dissipation, PC
NTE2367 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 300mW
NTE2368 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200mW
Operating Junction Temperature, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +150°C
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +160°C
Electrical Characteristics: (TA = +25°C unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Test Conditions
Collector Cutoff Current
Emitter Cutoff Current
DC Current Gain
Current Gain–Bandwidth Product
NTE2367
ICBO
ICEO
IEBO
hFE
fT
VCB = 40V, IE = 0
VCE = 40V, IB = 0
VEB = 5V, IC = 0
VCE = 5V, IC = 10mA
VCE = 10V, IC = 5mA
NTE2368
Output Capacitance
Cob VCB = 10V, f = 1MHz
Min Typ Max Unit
– – 0.1 µA
– – 0.5 µA
170 250 330 µA
30 –
–
– 250 – MHz
– 200 – MHz
– 3.0 – pF
1 page | ||
| Páginas | Total 2 Páginas | |
| PDF Descargar | [ Datasheet NTE2367.PDF ] | |
Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| NTE236 | Silicon NPN Transistor Final RF Power Output (PO = 16W / 27MHz / SSB) | NTE |
| NTE2360 | Silicon Complementary Transistors | NTE |
| NTE2361 | Silicon Complementary Transistors High Speed Switch | NTE |
| NTE2362 | Silicon Complementary Transistors | NTE |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
|
DataSheet.es es una pagina web que funciona como un repositorio de manuales o hoja de datos de muchos de los productos más populares, |
| DataSheet.es | 2020 | Privacy Policy | Contacto | Buscar |