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PDF NTE2347 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | NTE2347 | |
| Descripción | Silicon NPN Transistor General Purpose / Medium Power | |
| Fabricantes | NTE | |
| Logotipo |  |
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NTE2347
Silicon NPN Transistor
General Purpose, Medium Power
Description:
The NTE2347 is a silicon NPN transistor in a TO39 type package designed for use in high current,
fast switching applications and for power amplifiers.
Absolute Maximum Ratings:
Collector–Base Voltage (IE = 0), VCBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 150V
Collector–Emitter Voltage (IB = 0), VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 80V
Emitter–Base Voltage (IC = 0), VEBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6V
Collector Current, IC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5A
Total Power Dissipation, Ptot
TA ≤ +25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1W
TC ≤ +25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7W
TC ≤ +100°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4W
Junction Temperature, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +200°C
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +200°C
Thermal Resistance, Junction–to–Case, RthJC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25°C/W
Thermal Resistance, Junction–to–Ambient, RthJA . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 175°C/W
Electrical Characteristics: (TC = +25°C unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Test Conditions
Min Typ Max Unit
Collector Cutoff Current
Emitter Cutoff Current
Collector–Emitter Sustaining Voltage
Collector–Emitter Saturation Voltage
Base–Emitter Saturation Voltage
DC Current Gain
Transition Frequency
Collector–Base Capacitance
Turn–On Time
Storage Time
Fall Time
ICES VCE = 150V, VBE = 0
VCE = 100V, VBE = 0
VCE = 100V, VBE = 0, TC = +150°C
IEBO VEB = 6V, IC = 0
VCEO(sus) IC = 50mA, IB = 0, Note 1
VCE(sat) IC = 5A, IB = 500mA, Note 1
VBE(sat) IC = 5A, IB = 500mA, Note 1
hFE IC = 2A, VCE = 2V, Note 1
IC = 2A, VCE = 2V, TC = –55°C, Note 1
fT IC = 500mA, VCE = 5V
CCBO VCB = 10V, IE = 0, f = 1MHz
ton VCC = 20V, IC = 500mA, IB1 = 500mA
ts VCC = 20V, IC = 5A, IB1 = –IB2 = 500mA
tf
–
–
–
–
80
–
–
40
15
50
–
–
–
–
– 1 mA
– 1 µA
– 100 µA
– 1 mA
––V
–1V
– 1.6 V
– 120
––
– – MHz
– 80 pF
– 0.35 µs
– 0.35 µs
– 0.3 µs
Note 1. Pulse Test: Pulse Duration = 300µs, Duty Cycle = 1.5%.
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| NTE234 | Silicon PNP Transistor Low Noise / High Gain Amplifier | NTE |
| NTE2340 | Silicon NPN Transistor Darlington Power Amp / Switch | NTE |
| NTE2341 | Silicon Complementary Transistors Darlington Driver | NTE |
| NTE2342 | Silicon Complementary Transistors | NTE |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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