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PDF NTE2343 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | NTE2343 | |
| Descripción | Silicon Complementary Transistors Darlington Power Amp / Switch | |
| Fabricantes | NTE | |
| Logotipo |  |
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NTE2343 (NPN) & NTE2344 (PNP)
Silicon Complementary Transistors
Darlington Power Amp, Switch
Absolute Maximum Ratings:
Collector–Base Voltage, VCBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 120V
Collector–Emitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 120V
Collector Current, IC
DC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12A
Pulse . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15A
Base Current, IB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200mA
Collector Dissipation (TC = +25°C), PC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 80W
Operating Junction Temperature, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +150°C
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +150°C
Thermal Resistance, Junction–to–Case, RthJC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.56°C/W
Electrical Characteristics: (TA = +25°C unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Test Conditions
Collector–Emitter Sustaining Voltage
Collector Cutoff Current
VCEO(sus) IC = 100mA, IB = 0, Note 1
ICBO VCB = 100V, IE = 0
ICEO VCE = 100V, IB = 0
Emitter Cutoff Current
DC Current Gain
IEBO
hFE
VEB = 5V, IC = 0
VCE = 3V, IC = 3A
VCE = 3V, IC = 5A
VCE = 3V, IC = 10A
Collector–Emitter Saturation Voltage
Base–Emitter Saturation Voltage
VCE(sat)
VBE(sat)
IC = 5A, IB = 20mA, Note 1
IC = 10A, IB = 100mA, Note 1
IC = 5A, IB = 20mA, Note 1
IC = 10A, IB = 100mA, Note 1
Parallel Diode Forward Voltage
Vf If = 5A, Note 1
Small–Signal Current Gain
If = 10A, Note 1
hfe IC = 1A, VCE = 10V, f = 1MHz
Note 1. Pulse Test: Pulse Width = 300µs, Duty Cycle = 1.5%.
Min Typ Max Unit
100 – – V
– – 100 µA
– – 1 mA
– – 2 mA
1000 –
–
750 – 1000
100 –
–
– – 2.0 V
– – 3.0 V
– – 2.5 V
– – 4.0 V
– 1.3 2.0 V
– 1.8 4.0 V
20 –
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| NTE234 | Silicon PNP Transistor Low Noise / High Gain Amplifier | NTE |
| NTE2340 | Silicon NPN Transistor Darlington Power Amp / Switch | NTE |
| NTE2341 | Silicon Complementary Transistors Darlington Driver | NTE |
| NTE2342 | Silicon Complementary Transistors | NTE |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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