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PDF NTE2330 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | NTE2330 | |
| Descripción | Silicon NPN Transistor High Gain Amp w/Internal Zener Diode | |
| Fabricantes | NTE | |
| Logotipo |  |
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NTE2330
Silicon NPN Transistor
High Gain Amp w/Internal Zener Diode
Features:
D Excellent Wide Safe Operating Area
D Included Avalanche Diode
D High DC Current Gain
D High Collector Power Dissipation Capability
Absolute Maximum Ratings: (TA = +25°C unless otherwise specified)
Collector–Base Voltage, VCBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 55 (+15, –10) V
Collector–Emitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 55 (+15, –10) V
Emitter–Base Voltage, VEBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V
Collector Current, IC
Continuous . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4A
Peak . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20A
Collector Dissipation (TC = +25°C), PC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 80W
Operating Junction Temperature, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +150°C
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C
Electrical Characteristics: (TA = +25°C unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Test Conditions
Collector–Base Breakdown Voltage
Collector–Emitter Breakdown Voltage
Emitter Cutoff Current
DC Current Gain
Collector–Emitter Saturation Voltage
Base–Emitter Voltage
Allowable Energy
V(BR)CBO IC = 10mA, IE = 0
V(BR)CBO IC = 100mA, IB = 0
IEBO VEB = 5V, IC = 0
hFE VCE = 5V, IC = 500mA
VCE(sat) IC = 500mA, IB = 2mA
IC = 1A, IB = 20mA
VBE VCE = 5V, IC = 500mA
ET
Min Typ Max Unit
45 55 70 V
45 55 70 V
– – 10 µA
500 1000 2500
– – 2.0 V
– – 3.0 V
0.50 0.65 0.80 V
80 –
– W.sec
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| NTE233 | Silicon NPN Transistor Video IF / Oscillator | NTE |
| NTE2330 | Silicon NPN Transistor High Gain Amp w/Internal Zener Diode | NTE |
| NTE2331 | Silicon NPN Transistor Color TV Horizontal Deflection Output w/Damper Diode | NTE |
| NTE2332 | Darlington Silicon NPN Transistor w/ Internal Damper & Zener Diode | NTE |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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