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PDF NTE2305 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | NTE2305 | |
| Descripción | Silicon Complementary Transistors High Voltage Power Amplifier | |
| Fabricantes | NTE | |
| Logotipo |  |
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NTE2305 (NPN) & NTE2306 (PNP)
Silicon Complementary Transistors
High Voltage Power Amplifier
Description:
The NTE2305 (NPN) and NTE2306 (PNP) are silicon complementary transistors in a TO218 type
package designed for use in high power audio amplifier applications and high voltage switching regu-
lator circuits.
Features:
D High Collector–Emitter Sustaining Voltage: VCEO(sus) = 160V
D High DC Current Gain: hFE = 35 Typ @ IC = 8A
D Low Collector–Emitter Saturation Voltage: VCE(sat) = 2V Max @ IC = 8A
Absolute Maximum Ratings:
Collector–Emitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 160V
Collector–Base Voltage, VCB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 160V
Emitter–Base Voltage, VEB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 70V
Collector Current, IC
Continuous . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16A
Peak (Note 1) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20A
Continuous Base Current, IB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5A
Power Dissipation (TC = +25°C), PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 125W
Operating Junction Temperature Range, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +150°C
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +150°C
Thermal Resistance, Junction–to–Case, RthJC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1°C/W
Note 1. Pulse Test: Pulse Width ≤ 5ms, Duty Cycle ≥ 10%.
Electrical Charactertistics: (TC = +25°C unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Test Conditions
Min Typ Max Unit
OFF Characteristics
Collector–Emitter Sustaining Voltage VCEO(sus) IC = 200mA, IB = 0, Note 2
160 – – V
Collector–Emitter Cutoff Current
ICEX VCE = 160V, VEB(off) = 1.5V
– – 0.1 mA
VCE = 160V, VEB9off) = 1.5V, TC = +150°C –
– 5.0 mA
ICEO VCE = 80V, IB = 0
– – 750 µA
Emitter–Base Cutoff Current
IEBO VBE = 7V, IC = 0
– – 1.0 mA
Collector–Base Cutoff Current
ICBO VCB = 160V, IE = 0
– – 750 µA
Note 2. Pulse Test: Pulse Width ≤ 300µs, Duty Cycle ≥ 2%.
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| NTE230 | Silicon Controlled Rectifier (SCR) TV Deflection Circuit | NTE |
| NTE2300 | Silicon NPN Transistor High Voltage / Horizontal Output | NTE |
| NTE2301 | Silicon NPN Transistor High Voltage Horizontal Output | NTE |
| NTE2302 | Silicon NPN Transistor Color TV Horizontal Deflection Output w/Damper Diode | NTE |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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