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PDF NTE227 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | NTE227 | |
| Descripción | Silicon NPN Transistor High Voltage Amp / Video Output | |
| Fabricantes | NTE | |
| Logotipo |  |
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NTE227
Silicon NPN Transistor
High Voltage Amp, Video Output
Absolute Maximum Ratings:
Collector–Base Voltage, VCBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 300V
Collector–Emitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 300V
Emitter–Base Voltage, VEBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6V
Collector Current, IC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100mA
Power Dissipation (TA = +25°C), PDmax . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 850mW
Power Dissipation (TCOLLECTOR LEAD = +25°C), PDmax . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2W
Maximum Operating Junction Temperature, TJmax . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +150°C
Thermal Resistance, Junction–to–Case (TCOLLECTOR LEAD = +25°C), RthJC . . . . . . . . . . . 62.5°C/W
Thermal Resistance, Junction–to–Ambient (TA = +25°C), RthJA . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 147°C/W
Electrical Characteristics: (TA = +25°C unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Test Conditions
Collector Cutoff Current
Emitter Cutoff Current
DC Current Gain
Collector–Emitter Breakdown Voltage
Collector–Base Breakdown Voltage
Emitter–Base Breakdown Voltage
Collector–Emitter Saturation Voltage
Base–Emitter Saturation Voltage
Transition Frequency
Base–Emitter Saturation Voltage
Capacitance
ICBO VCB = 260V
IEBO VEB = 6V
hFE IC = 1mA, VCE = 10V
IC = 10mA, VCE = 10V
V(BR)CEO IC = 1mA
V(BR)CBO IC = 100µA
V(BR)EBO IE = 10µA
VCE(sat) IC = 20mA, IB = 2mA
VBE(sat) IC = 20mA, IB = 2mA
fT IC = 10mA
VBE(sat) IC = 10mA
Cib
Min Typ Max Unit
– – 100 nA
– – 100 nA
25 – –
40 90 200
300 – – V
300 – – V
6––V
– 0.25 1.0 V
– 0.74 1.0 V
50 – 200 MHz
– – 0.76 V
– – 70 pF
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| NTE22 | Silicon NPN Transistor AF PO / General Purpose Amp / Driver | NTE |
| NTE221 | MOSFET Dual Gate / N-Channel for VHF TV Receivers Applications | NTE |
| NTE222 | Field Effect Transistor Dual Gate N-Channel MOSFET | NTE |
| NTE226 | Germanium PNP Transistor Audio Power Amp | NTE |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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