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PDF NTE191 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | NTE191 | |
| Descripción | Silicon Complementary Transistors High Voltage Video Amplifier | |
| Fabricantes | NTE | |
| Logotipo |  |
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NTE191 (NPN) & NTE240 (PNP)
Silicon Complementary Transistors
High Voltage Video Amplifier
Description:
The NTE191 (NPN) and NTE240 (PNP) are silicon complementary transistors in a TO202N type
package designed for high–voltage video and luminance output stages in TV receivers.
Features:
D High Collector–Emitter Breakdown Voltage: V(BR)CEO = 300V (Min) @ IC = 1mA
D Low Collector–Emitter Saturation Voltage: VCE(sat) = 0.75V (Max) @ IC = 30mA
D Low Collector–Base Capacitance: Ccb = 3pF (Max) @ VCB = 20V
Absolute Maximum Ratings:
Collector–Emitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 300V
Collector–Base Voltage, VCB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 300V
Emitter–Base Voltage, VEBO
NTE191 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6V
NTE240 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V
Continuous Collector Current, IC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 500mA
Total Device Dissipation (TA = +25°C), PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1W
Derate Above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8mW/°C
Total Device Dissipation (TC = +25°C), PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10W
Derate Above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 80mW/°C
Operating Junction Temperature Range, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C
Thermal Resistance, Junction–to–Case, RthJC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12.5°C/W
Thermal Resistance, Junction–to–Ambient (Note 2), RthJA . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 125°C/W
Note 1. NTE191 is a discontinued device and no longer available.
Note 2. RthJA is measured with the device soldered into a typical printed circuit board.
Electrical Characteristics: (TA = +25°C unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Test Conditions
OFF Characteristics
Collector–Emitter Breakdown Voltage
Collector–Base Breakdown Voltage
Emitter–Base Breakdown Voltage
NTE191
NTE240
V(BR)CEO IC = 1mA, IB = 0, Note 3
V(BR)CBO IC = 100µA, IE = 0
V(BR)EBO
IE = 100µA, IC = 0
Note 3. Pulse Test: Pulse Width ≤ 300µs, Duty Cycle ≤ 2%.
Min Typ Max Unit
300 –
300 –
6–
5–
–
–
–
–
V
V
V
V
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| NTE19 | Silicon Complementary Transistors | NTE |
| NTE190 | Silicon NPN Transistor High Voltage Amplifier | NTE |
| NTE1900 | Integrated Circuit 3-Terminal Adjustable Positive Voltage Regulator | NTE |
| NTE1901 | Integrated Circuit Negative Adjustable Voltage Regulator / -1.2V to -37V / 100mA | NTE |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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