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Número de pieza | NTE16004 | |
Descripción | Silicon Complementary Transistors High Current / General Purpose | |
Fabricantes | NTE | |
Logotipo | ||
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Silicon Complementary Transistors
High Current, General Purpose
Absolute Maximum Ratings:
Collector–Emitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 75V
Collector–Base Voltage, VCBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100V
Emitter–Base Voltage, VEBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7V
Continuous Collector Current, IC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2A
Base Current, IB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1A
Total Device Dissipation (TC = +25°C), PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10W
Derate Above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.057mW/°C
Operating Junction Temperature Range, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +200°C
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +200°C
Thermal Resistance, Junction–to–Case, RthJC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17.5°C/W
Electrical Characteristics: (TA = +25°C unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Test Conditions
OFF Characteristics
Collector–Emitter Breakdown Voltage
Collector Cutoff Current
Emitter Cutoff Current
ON Characteristics (Note 1)
V(BR)CEO) IC = 100mA, IB = 0
ICEX VCE = 100V, VBE = 1.5V
VCE = 70V, VBE = 1.5V, TC = +150°C
IEBO VBE = 7V, IC = 0
DC Current Gain
Collector–Emitter Saturation Voltage
NTE16004
NTE16005
hFE
VCE(sat)
IC = 500mA, VCE = 4V
IC = 1A, VCE = 2V
IC = 500mA, IB = 50mA
Base–Emitter ON Voltage
Small–Signal Characteristics
VBE(on) IC = 500mA, VCE = 4V
Small–Signal Current Gain
hfe IC = 50mA, VCE = 4V, f = 10MHz
Note 1. Pulse Test: Pulse Width ≤ 300µs, Duty Cycle ≤ 2%.
Min Typ Max Unit
75 – – V
– – 0.1 mA
– – 5.0 mA
– – 0.1 mA
30 – 130
10 –
–
– – 0.7 V
– – 0.5 V
– – 1.1 V
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PDF Descargar | [ Datasheet NTE16004.PDF ] |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
NTE16000-ECG | Polymeric Positive Temperature Coefficient (PTC) Resettable Fuses | NTE |
NTE16001 | Silicon NPN Transistor Video IF Amp | NTE |
NTE16002 | Silicon NPN Transistor RF Power Output / PO = 13.5W / 175MHz | NTE |
NTE16003 | Silicon NPN Transistor RF Power Output / PO = 7W / 175MHz | NTE |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
Sanken |
SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
Analog Devices |
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