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PDF NTE16 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | NTE16 | |
| Descripción | Silicon Complementary Transistors Low Noise / General Purpose Amplifier | |
| Fabricantes | NTE | |
| Logotipo |  |
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NTE16 (NPN) & NTE17 (PNP)
Silicon Complementary Transistors
Low Noise, General Purpose Amplifier
Features:
D Low Collector Saturation Voltage
D Low Output Capacitance
D Low Noise
Absolute Maximum Ratings: (TA = +25°C unless otherwise specified)
Collector–Base Voltage, VCBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50V
Collector–Emitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40V
Emitter–Base Voltage, VEBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V
Collector Current, IC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100mA
Collector Dissipation, PC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 300mW
Operating Junction Temperature, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +125°C
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +125°C
Electrical Charactristics: (TA = +25°C unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Test Conditions
Collector–Emitter Breakdown Voltage
Collector–Base Breakdown Voltage
Emitter–Base Breakdown Voltage
V(BR)CEO IC = 1mA
V(BR)CBO IC = 50µA
V(BR)EBO IE = 50µA
Collector Cutoff Current
ICBO VCB = 30V
Emitter Cutoff Current
DC Current Gain
Collector–Emitter Saturation Voltage
NTE16
IEBO
hFE
VCE(sat)
VEB = 4V
VCE = 6V, IC = 1mA
IC = 50mA, IB = 5mA
NTE17
Transition Frequency
NTE16
fT
VCE = 12V, IE = 2mA
NTE17
Output Capacitance
NTE16
Cob
VCB = 12V, IE = 0, f = 1MHz
NTE17
Min Typ Max Unit
40 – – V
50 – – V
5––V
– – 0.5 µA
– – 0.5 µA
270 – 560
– – 0.4 V
– 0.1 0.5 V
– 180 – MHz
– 140 – MHz
– 2.0 3.5 pF
– 4.0 5.0 pF
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| NTE10 | Silicon NPN Transistor UHF Low Noise Wide.Band Amplifier | NTE |
| NTE100 | Germanium Complementary Transistors Oscillator / Mixer for AM Radio / Medium Speed Switch | NTE |
| NTE1002 | Integrated Circuit FM IF TV Amp | NTE |
| NTE1003 | Integrated Circuit FM/AM IF Amplifier | NTE |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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