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PDF NTE123 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | NTE123 | |
| Descripción | Silicon NPN Transistor General Purpose Audio Amplifier / Switch | |
| Fabricantes | NTE | |
| Logotipo |  |
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NTE123
Silicon NPN Transistor
General Purpose Audio Amplifier, Switch
Absolute Maximum Ratings:
Collector–Emitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40V
Collector–Base Voltage, VCBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 75V
Emitter–Base Voltage, VEBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6V
Continuous Collector Current, IC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 800mA
Total Device Dissipation (TA = +25°C), PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 800mW
Derate Above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5.33mW/°C
Total Device Dissipation (TC = +25°C), PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.0W
Derate Above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20mW/°C
Operating Junction Temperature Range, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +200°C
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +200°C
Electrical Characteristics: (TA = +25°C unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Test Conditions
OFF Characteristics
Collector–Emitter Breakdown Voltage V(BR)CEO IC = 10mA, IB = 0
Collector–Base Breakdown Voltage V(BR)CBO IC = 10µA, IE = 0
Emitter–Base Breakdown Voltage V(BR)EBO IE = 10µA, IC = 0
Collector Cutoff Current
ICBO
VCE = 60V, IE = 0
VCE = 60V, IE = 0, TA = +150°C
ICEX VCE = 60V, VEB(off) = 3V
Emitter Cutoff Current
IEBO VEB = 3V, IC = 0
Base Cuttoff Current
IBL VCE = 60V, VEB(off) = 3V
Min Typ Max Unit
40 –
–
V
75 –
–
V
6––
V
– – 0.01 µA
– – 10 µA
– – 10 nA
– – 10 nA
– – 20 nA
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| NTE12 | Silicon Complementary Transistors | NTE |
| NTE120 | Diode ( Rectifier ) |  American Microsemiconductor |
| NTE1200 | Integrated Circuit Color TV Chroma Processor | NTE |
| NTE1205M | Isolated 1W Single Output SM DC/DC Converters |  C&D Technologies |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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