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PDF NTE121 Data sheet ( Hoja de datos )

Número de pieza NTE121
Descripción Germanium PNP Transistor Audio Frequency Power Amplifier
Fabricantes NTE 
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NTE121
Germanium PNP Transistor
Audio Frequency Power Amplifier
Description:
The NTE121 is a Germanium PNP Alloy Junction transistor in a TO3 type package designed as an
audio frequency power output amplifier.
Absolute Maximum Ratings: (TA = +25°C unless otherwise specified)
Collector–Base Voltage, VCBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60V
Collector–Emitter Voltage (RBE = 68), VCER . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 45V
Emitter–Base Voltage, VEBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10V
Collector Current, IC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10A
Emitter Current, IE . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10A
Base Current, IB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3A
Power Dissipation (TC +55°C), PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 90W
Operating Junction Temperature, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +100°C
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +100°C
Note 1. Matched pairs are available upon request (NTE121MP). Matched pairs have their gain
specification (hFE) matched to within 10% of each other.
w Electrical Characteristics: (TA = +25°C unless otherwise specified)
w Parameter
Symbol
Test Conditions
wCollector–Emitter Breakdown Voltage V(BR)CER IC(peak) = –0.6A, RBE = 68
.DCollector Cutoff Current
ICBO VCB = 30V, IE = 0
DC Current Gain
atBase–Emitter Input Voltage
hFE VCE = 2V, IC = 20mA
VBE VCE = 2V, IC = 1A
aSCollector–Emitter Saturation Voltage VCE(sat) IC = 10A, IB = 1A
heet4U.comTransition Frequency
fT VCB = 2V, IE = 1A
Min Typ Max Unit
45 – – V
– – 0.5 mA
50 90 165
– 0.38 –
V
– 0.3 –
V
– 300 – kHz

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Hoja de datos destacado

Número de piezaDescripciónFabricantes
NTE12Silicon Complementary TransistorsNTE
NTE
NTE120Diode ( Rectifier )American Microsemiconductor
American Microsemiconductor
NTE1200Integrated Circuit Color TV Chroma ProcessorNTE
NTE
NTE1205MIsolated 1W Single Output SM DC/DC ConvertersC&D Technologies
C&D Technologies

Número de piezaDescripciónFabricantes
SLA6805M

High Voltage 3 phase Motor Driver IC.

Sanken
Sanken
SDC1742

12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.

Analog Devices
Analog Devices


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