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PDF NTE105 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | NTE105 | |
| Descripción | Germanium PNP Transistor Audio Power Amp | |
| Fabricantes | NTE | |
| Logotipo |  |
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NTE105
Germanium PNP Transistor
Audio Power Amp
Description:
The NTE105 is a germanium PNP power transistor in a TO36 type package designed for use in power
switching and amplifier applications.
Absolute Maximum Ratings:
Collector–Emitter Voltage, VCES . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40V
Collector–Base Voltage, VCB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40V
Emitter–Base Voltage, VEB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20V
Continuous Base Current, IB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4A
Continuous Emitter Current, IE . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15A
Total Device Dissipation (TC = +25°C), PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 150W
Operating Junction Temperature Range, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +100°C
Thermal Resistance, Junction–to–Case, RthJC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.5°C/W
Electrical Characteristics: (TC = +25°C unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Test Conditions
OFF Characteristics
Collector–Emitter Breakdown Voltage
Floating Potential
Collector Cutoff Current
Emitter Cutoff Current
ON Characteristics
V(BR)CEO
V(BR)CES
VEBF
ICBO
IEBO
IC = 1A, IB = 0, Note 1
IC = 300mA, VBE = 0, Note 1
VCB = 40V, IE = 0
VCB = 2V, IE = 0
VCB = 40V, IE = 0
VCB = 40V, IE = 0, TB = +71°C
VBE = 20V, IC = 0
DC Current Gain
Collector–Emitter Saturation Voltage
Base–Emitter Voltage
hFE
VCE(sat)
VBE
VCE = 2V, IC = 5A
VCE = 2V, IC = 12A
IC = 12A, IB = 2A
VCE = 2V, IC = 5A
Note 1. Pulse test: Pulse Width ≤ 300µs, Duty Cycle ≤ 2%.
Min Typ Max Unit
25 – – V
40 – – V
– – 1.0 V
– 0.1 – mA
– 2.0 8.0 mA
– – 15 mA
– 1.0 8.0 mA
20 – 40
– 20 –
– 0.3 –
– 0.65 –
V
V
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| NTE10 | Silicon NPN Transistor UHF Low Noise Wide.Band Amplifier | NTE |
| NTE100 | Germanium Complementary Transistors Oscillator / Mixer for AM Radio / Medium Speed Switch | NTE |
| NTE1002 | Integrated Circuit FM IF TV Amp | NTE |
| NTE1003 | Integrated Circuit FM/AM IF Amplifier | NTE |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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