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PDF M67799LA Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | M67799LA | |
| Descripción | SILICON MOS FET POWER AMPLIFIER / 400-430MHz / 7.5W / FM PORTABLE RADIO | |
| Fabricantes | Mitsubishi | |
| Logotipo |  |
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MITSUBISHI RF POWER MODULE
M67799LA
SILICON MOS FET POWER AMPLIFIER, 400-430MHz, 7.5W, FM PORTABLE RADIO
OUTLINE DRAWING
30±0.2
26.6±0.2
21.2±0.2
12
0.45
6±1
13.7±1
18.8±1
23.9±1
3
5
4
Dimensions in mm
BLOCK DIAGRAM
2-R1.5±0.1
23
14
5
PIN:
1 Pin : RF INPUT
2 VGG : GATE BIAS SUPPLY
3 VDD : DRAIN BIAS SUPPLY
4 PO : RF OUTPUT
5 GND: FIN
H46
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Tc=25°C unless otherwise noted)
Symbol
Parameter
VDD Supply voltage
VGG Gate bias voltage
Pin Input power
PO Output power
TC (OP) Operation case temperature
Tstg Storage temperature
Note. Above parameters are guaranteed independently.
Conditions
VGG≤3.5V, ZG=ZL=50Ω
f=400-430MHz, ZG=ZL=50Ω
f=400-430MHz, ZG=ZL=50Ω
f=400-430MHz, ZG=ZL=50Ω
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tc=25°C, ZG=ZL=50Ω unless otherwise noted)
Symbol
Parameter
Test conditions
f
PO
ηT
2fO
ρin
-
Frequency range
Output power
Total efficiency
2nd. harmonic
Input VSWR
Stability
VDD=9.6V,
VGG=3.5V,
Pin=20mW
ZG=50Ω, VDD=4.8-13.2V,
Load VSWR<4:1
- Load VSWR tolerance
VDD=13.2V, Pin=20mW,
PO=7.5W (VGG adjust), ZL=20:1
Note. Above parameters, ratings, limits and test conditions are subject to change.
Ratings
16
4
30
10
-30 to +100
-40 to +110
Unit
V
V
mW
W
°C
°C
Limits
Min Max
400 430
7.5
43
-25
4
No parasitic oscillation
No degradation or
destroy
Unit
MHz
W
%
dBc
-
-
-
Nov. ´97
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| M67799LA | SILICON MOS FET POWER AMPLIFIER / 400-430MHz / 7.5W / FM PORTABLE RADIO | Mitsubishi |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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