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Numéro de référence | LD269 | ||
Description | GaAs-IR-Lumineszenzdioden-Zeilen GaAs Infrared Emitter Arrays | ||
Fabricant | Siemens Group | ||
Logo | |||
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GaAs-IR-Lumineszenzdioden-Zeilen
GaAs Infrared Emitter Arrays
LD 260
LD 262 ... LD 269
Chip
7.4
7.0
position
0.5
0.4
2.54 mm
spacing
0.7
0.6
A
1.4
1.0
Collector (BPX 83)
Cathode (LD 263)
0 ... 5
0.4 A
0.25
0.15
2.1
1.5
GEO06367
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Wesentliche Merkmale
q GaAs-IR-Lumineszenzdiode, hergestellt im
Schmelzepitaxieverfahren
q Hohe Zuverlässigkeit
q Gehäusegleich mit BPX 80-Serie
Anwendungen
q Miniaturlichtschranken für Gleich- und
Wechsellichtbetrieb
q Lochstreifenleser
q Industrieelektronik
q “Messen/Steuern/Regeln”
Features
q GaAs infrared emitting diode, fabricated in a
liquid phase epitaxy process
q High reliability
q Same package as BPX 80 series
Applications
q Miniature photointerrupters
q Punched tape-readers
q Industrial electronics
q For control and drive circuits
Semiconductor Group
1
1997-11-01
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Pages | Pages 4 | ||
Télécharger | [ LD269 ] |
No | Description détaillée | Fabricant |
LD260 | GaAs-IR-Lumineszenzdioden-Zeilen GaAs Infrared Emitter Arrays | Siemens Group |
LD261 | GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter | Siemens Group |
LD261-5 | GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter | Siemens Group |
LD2614444 | INFRARED EMITTER SINGLE AND ARRAYS | Siemens Group |
US18650VTC5A | Lithium-Ion Battery | Sony |
TSPC106 | PCI Bus Bridge Memory Controller | ATMEL |
TP9380 | NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR | Advanced Semiconductor |
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