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PDF LD242E7800 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | LD242E7800 | |
| Descripción | GaAs Infrared Emitter | |
| Fabricantes | Siemens Group | |
| Logotipo |  |
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GaAs-IR-Lumineszenzdiode
GaAs Infrared Emitter
LD 242
ø0.45
2.7
Chip position
14.5 3.6
12.5 3.0
Anode (LD 242, BPX 63, SFH 464)
Cathode (SFH 483)
Approx. weight 0.5 g
1
ø5.5
ø5.2
GET06625
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Wesentliche Merkmale
q GaAs-IR-Lumineszenzdiode, hergestellt im
Schmelzepitaxieverfahren
q Kathode galvanisch mit Gehäuseboden
verbunden
q Hohe Zuverlässigkeit
q Großer Öffnungskegel
q Gehäusegleich mit BP 103, BPX 63,
SFH 464, SFH 483
q Anwendungsklasse nach DIN 40 040 GQG
Features
q GaAs infrared emitting diode, fabricated in a
liquid phase epitaxy process
q Cathode is electrically connected to the case
q High reliability
q Wide beam
q Same package as BP 103, BPX 63,
SFH 464, SFH 483
q DIN humidity category in acc. with
DIN 40 040 GQG
Anwendungen
q IR-Fernsteuerungen und Tonübertragungen
q Lichtschranken für Gleich- und
Wechsellichtbetrieb
Applications
q IR remote control and sound transmission
q Photointerrupters
Typ
Type
LD 242-2
LD 242-3
LD 242 E7800
Bestellnummer
Ordering Code
Q62703-Q198
Q62703-Q199
Q62703-Q3509
Gehäuse
Package
Bodenplatte nach 18 A3 DIN 41876 (TO-18), klares
Epoxy-Gießharz, linsenförmig im 2.54-mm-Raster
(1/10’’)
Base plate as per 18 A3 DIN 41876 (TO-18), transpar-
ent epoxy resin lens, solder tabs lead spacing 2.54 mm
(1/10’’)
Semiconductor Group
1
1998-07-15
1 page  
LD 242
Relative spectral emission
Irel = f (λ)
100
%
Ι rel
80
OHR01938
60
40
20
0
880 920 960
Forward current
IF = f (VE)
1000 nm 1060
λ
10 1
ΙF A
OHR01040
typ.
10 0
max.
10 -1
Radiant intensity
Ie
Ie 100 mA
=f
(IF)
Single pulse, tp = 20 µs
Ιe 10 2
Ιe (100 mA)
OHR01037
10 1
Max. permissible forward current
IF = f (TA)
300
Ι F mA
250
OHR00971
R thJL = 160 K/W
200
150
R thJA = 450 K/W
10 0 100
10 -1
10 -2 10 -1 10 0 A 10 1
ΙF
Permissible pulse handling capability
IF = f (τ), TC = 25 °C,
duty cycle D = parameter
10 4
mA
ΙF
5
D
=
tP
T
tP
T
OHR01937
ΙF
0.2
10 3
0.5
5
DC
D=
0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
50
0
0 20 40 60 80 ˚C 100
TA,TL
10 -2 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 V 4.5
VF
Radiation characteristics Irel = f (ϕ)
40 30 20 10
ϕ
50
0
1.0
0.8
10 2
10 -5 10 -4 10 -3 10 -2
s 10 0
τ
OHR01877
60 0.6
70 0.4
80 0.2
90 0
100
1.0 0.8 0.6
0.4
0 20 40 60 80 100 120
Semiconductor Group
5
1998-07-15
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| LD242E7800 | GaAs Infrared Emitter | Siemens Group |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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