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PDF PBSS5540Z Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | PBSS5540Z | |
| Descripción | PNP medium power transistor | |
| Fabricantes | NXP Semiconductors | |
| Logotipo |  |
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DISCRETE SEMICONDUCTORS
DATA SHEET
fpage
M3D087
PBSS5540Z
40 V low VCEsat PNP transistor
Product data sheet
Supersedes data of 2001 Jan 26
2001 Sep 21
1 page  
NXP Semiconductors
40 V low VCEsat PNP transistor
Product data sheet
PBSS5540Z
1000
handbook, halfpage
hFE
800
600
(1)
MGU391
400
(2)
200 (3)
0
−1 −10
VCE = −2 V.
(1) Tamb = 150 °C.
(2) Tamb = 25 °C.
(3) Tamb = −55 °C.
−102
−103
−104
IC (mA)
Fig.2 DC current gain as a function of collector
current; typical values.
−1.2
handbook, halfpage
VBE
(V)
−0.8
−0.4
MGU393
(1)
(2)
(3)
−010−1
−1
VCE = −2 V.
(1) Tamb = 150 °C.
(2) Tamb = 25 °C.
(3) Tamb = −55 °C.
−10
−102
−103
−104
IC (mA)
Fig.3 Base-emitter voltage as a function of
collector current; typical values.
−103
handbook, halfpage
VCEsat
(mV)
−102
−10
MGU395
(1)
(2)
(3)
−1.2
handbook, halfpage
VBEsat
(V)
−0.8
−0.4
MGU394
(1)
(2)
(3)
−−110−1
−1
IC/IB = 20.
(1) Tamb = 150 °C.
(2) Tamb = 25 °C.
(3) Tamb = −55 °C.
−10 −102 −103 −104
IC (mA)
Fig.4 Collector-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values.
−010−1
−1
IC/IB = 20.
(1) Tamb = 150 °C.
(2) Tamb = 25 °C.
(3) Tamb = −55 °C.
−10
−102
−103
−104
IC (mA)
Fig.5 Base-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values.
2001 Sep 21
5
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| PBSS5540X | 40V 5A PNP low VCEsat (BISS) transistor | NXP Semiconductors |
| PBSS5540Z | PNP medium power transistor | NXP Semiconductors |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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