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PDF UTC2SD882S Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | UTC2SD882S | |
| Descripción | NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR | |
| Fabricantes | Unisonic Technologies | |
| Logotipo |  |
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UTC2SD882S NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
MEDIUM POWER LOW VOLTAGE
TRANSISTOR
FEATURES
*High current output up to 3A
*Low saturation voltage
*Complement to 2SB772S
APPLICATIONS
* Audio power amplifier
* DC-DC convertor
* Voltage regulator
1
TO-92
1:EMITTER 2:COLLECTOR 3:BASE
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25°C ,unless otherwise specified )
PARAMETERS
SYMBOL
RATING
Collector-base voltage
VCBO
40
Collector-emitter voltage
VCEO
30
Emitter-base voltage
VEBO
5
Collector dissipation( Ta=25°C)
Pc
0.5
Collector current(DC)
Ic 3
Collector current(PULSE)
Ic 7
Base current
IB 0.6
Junction Temperature
Tj 150
Storage Temperature
TSTG
-55 ~ +150
UNIT
V
V
V
W
A
A
A
°C
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25°C,unless otherwise specified)
PARAMETER
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN
Collector cut-off current
ICBO
VCB=30V,IE=0
Emitter cut-off current
IEBO
VEB=3V,Ic=0
DC current gain(note 1)
hFE1
VCE=2V,Ic=20mA
30
hFE2
VCE=2V,Ic=1A
100
Collector-emitter saturation voltage VCE(sat)
Ic=2A,IB=0.2A
Base-emitter saturation voltage
VBE(sat)
Ic=2A,IB=0.2A
Current gain bandwidth product
fT
VCE=5V,Ic=0.1A
Output capacitance
Cob VCB=10V,IE=0,f=1MHz
Note 1:Pulse test:PW<300µs,Duty Cycle<2%
TYP
200
150
0.3
1.0
80
45
MAX
1000
1000
UNIT
nA
nA
400
0.5 V
2.0 V
MHz
pF
CLASSIFICATION OF hFE2
RANK
Q
RANGE
100-200
P
160-320
E
200-400
UTC UNISONIC TECHNOLOGIES CO. LTD
1
QW-R201-024,A
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| UTC2SD882S | NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR | Unisonic Technologies |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
|
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