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Numéro de référence | F0118G | ||
Description | GaAs Infrared Emitting Diode | ||
Fabricant | OSRAM | ||
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GaAs-Infrarot-Lumineszenzdiode (950 nm, Enhanced Power)
GaAs Infrared Emitting Diode (950 nm, Enhanced Power)
F 0118G
Vorläufige Daten / Preliminary Data
Wesentliche Merkmale
• Typ. Gesamtleistung: 24 mW @ 100 mA im
TOPLED® Gehäuse
• Chipgröße 300 x 300 µm2
• Emissionswellenlänge: 950 nm
• GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad
• Gute Linearität (Ie = f [IF]) bei hohen Strömen
• Gleichstrom- oder Impulsbetrieb möglich
• Hohe Zuverlässigkeit
• Hohe Impulsbelastbarkeit
Anwendungen
• IIR-Fernsteuerung von Fernseh-, Rundfunk-
und Videogeräten, Lichtdimmern
• Gerätefernsteuerungen für Gleich- und
Wechsellichtbetrieb
• Lichtschranken bis 500 kHz
• Sensorik
Features
• Typ. total radiant power: 24 mW @ 100 mA in
TOPLED® package.
• Chip size 300 x 300 µm2
• Peak wavelength: 950 nm
• Very highly efficient GaAs LED
• Good linearity (Ie = f [IF]) at high currents
• DC or pulsed operations are possible
• High reliability
• High pulse handling capability
Applications
• IR remote control for hifi and TV sets, video
tape recorder, dimmers
• Remote control for steady and varying
intensity
• Light-reflection switches (max. 500 kHz)
• Sensor technology
Typ
Type
F 0118G
Bestellnummer
Ordering Code
Q65110A0136
Beschreibung
Description
Infrarot emittierender Chip, Oberseite Anodenanschluß,
Infrared emitting die, top side anode connection
2003-04-10
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Pages | Pages 6 | ||
Télécharger | [ F0118G ] |
No | Description détaillée | Fabricant |
F0118G | GaAs Infrared Emitting Diode | OSRAM |
F0118J | GaAs Infrared Emitting Diode | OSRAM |
US18650VTC5A | Lithium-Ion Battery | Sony |
TSPC106 | PCI Bus Bridge Memory Controller | ATMEL |
TP9380 | NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR | Advanced Semiconductor |
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