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PDF 2SC5080 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | 2SC5080 | |
| Descripción | Silicon NPN Epitaxial | |
| Fabricantes | Hitachi Semiconductor | |
| Logotipo |  |
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2SC5080
Silicon NPN Epitaxial
Application
VHF / UHF wide band amplifier
Features
• High gain bandwidth product
fT = 13.5 GHz Typ
• High gain, low noise figure
PG = 18 dB Typ, NF = 1.1 dB Typ at f = 900 MHz
Outline
MPAK-4
2
3
1
4
1. Collector
2. Emitter
3. Base
4. Emitter
1 page  
S11 Parameter vs. Frequency
.8 1
.6
.4
.2
1.5
2
3
4
5
10
0 .2 .4 .6 .8 1 1.5 2 3 4 5 10
–10
–.2 –5
–4
–3
–.4
–2
–.6
–.8 –1
–1.5
Condition: VCE= 5 V , Zo = 50 Ω
200 to 2000 MHz (200 MHz step)
(I C = 5 mA)
(I C = 20 mA)
S12 Parameter vs. Frequency
90° Scale: 0.04 / div.
120°
60°
150°
30°
180°
0°
–150°
–30°
–120°
–60°
–90°
Condition: VCE= 5 V , Zo = 50 Ω
200 to 2000 MHz (200 MHz step)
(I C = 5 mA)
(I C = 20 mA)
2SC5080
S21 Parameter vs. Frequency
90° Scale: 5 / div.
120°
60°
150°
30°
180°
0°
–150°
–30°
–120°
–60°
–90°
Condition: VCE= 5 V , Zo = 50 Ω
200 to 2000 MHz (200 MHz step)
(I C = 5 mA)
(I C = 20 mA)
S22 Parameter vs. Frequency
.8 1
.6
.4
.2
1.5
2
3
4
5
10
0 .2 .4 .6 .8 1 1.5 2 3 4 5 10
–10
–.2 –5
–4
–3
–.4
–2
–.6
–.8 –1
–1.5
Condition: VCE= 5 V , Zo = 50 Ω
200 to 2000 MHz (200 MHz step)
(I C = 5 mA)
(I C = 20 mA)
5
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| 2SC508 | SILICON POWER TRANSISTOR |  SavantIC |
| 2SC5080 | Silicon NPN Epitaxial | Hitachi Semiconductor |
| 2SC5081 | Silicon NPN Epitaxial | Hitachi Semiconductor |
| 2SC5084 | Silicon NPN Epitaxial Planar Type Transistor |  Toshiba Semiconductor |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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