(PDF) 4AJ11 Datasheet - Silicon P-Channel Power MOS FET Array

Número de pieza	4AJ11
Descripción	Silicon P-Channel Power MOS FET Array
Fabricantes	Hitachi Semiconductor
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No Preview Available ! 4AJ11 Silicon P-Channel Power MOS FET Array Application High speed power switching Features • Low on-resistance RDS(on) 0.13 , VGS = –10 V, ID = –4 A RDS(on) 0.17 , VGS = –4 V, I D = –4 A • Capable of 4 V gate drive • Low drive current • High speed switching • High density mounting • Suitable for motor driver and solenoid driver and lamp driver 1 page 31.0 ± 0.3 4.0 ± 0.2 Unit: mm 1.5 ± 0.2 0.85 ± 0.1 1.4 2.54 0.55 +0.1 –0.06 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 Hitachi Code JEDEC EIAJ Weight (reference value) SP-12 — — 3.6 g 5 Page

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Número de pieza	Descripción	Fabricantes
SLA6805M	High Voltage 3 phase Motor Driver IC.	Sanken
SDC1742	12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.	Analog Devices

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