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PDF BC846BW Data sheet ( Hoja de datos )

Número de pieza BC846BW
Descripción Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors
Fabricantes Diotec Semiconductor 
Logotipo Diotec Semiconductor Logotipo



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No Preview Available ! BC846BW Hoja de datos, Descripción, Manual

BC 846W ... BC 850W
General Purpose Transistors
NPN
Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors
Si-Epitaxial PlanarTransistoren für die Oberflächenmontage
NPN
2±0.1
0.3 3
Type
Code
12
1.3
1±0.1
Dimensions / Maße in mm
1=B 2=E 3=C
Power dissipation – Verlustleistung
Plastic case
Kunststoffgehäuse
Weight approx. – Gewicht ca.
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped and reeled
Standard Lieferform gegurtet auf Rolle
200 mW
SOT-323
0.01 g
Maximum ratings (TA = 25/C)
Collector-Emitter-voltage
B open
Collector-Base-voltage
E open
Emitter-Base-voltage
C open
Power dissipation – Verlustleistung
Collector current – Kollektorstrom (DC)
Peak Collector current – Kollektor-Spitzenstrom
Peak Base current – Basis-Spitzenstrom
Peak Emitter current – Emitter-Spitzenstrom
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
VCE0
VCB0
VEB0
Ptot
IC
ICM
IBM
- IEM
Tj
TS
Grenzwerte (TA = 25/C)
BC 846W BC 847W BC 848W
BC 850W BC 849W
65 V 45 V 30 V
80 V 50 V 30 V
6V 5V
200 mW 1)
100 mA
200 mA
200 mA
200 mA
150/C
- 65…+ 150/C
Characteristics (Tj = 25/C)
DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis 2)
VCE = 5 V, IC = 10 :A
VCE = 5 V, IC = 2 mA
h-Parameters at VCE = 5V, IC = 2 mA, f = 1 kHz
Small signal current gain – Stromverstärkung
Input impedance – Eingangs-Impedanz
Output admittance – Ausgangs-Leitwert
Reverse voltage transfer ratio
Spannungsrückwirkung
hFE
hFE
hfe
hie
hoe
hre
Group A
Kennwerte (Tj = 25/C)
Group B
Group C
typ. 90
110...220
typ. 150
200...450
typ. 270
420...800
typ. 220
1.6...4.5 kS
18 < 30 :S
typ.1.5 *10-4
typ. 330
3.2...8.5 kS
30 < 60 :S
typ. 2 *10-4
typ. 600
6...15 kS
60 < 110 :S
typ. 3 *10-4
1) Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluß
2) Tested with pulses tp = 300 :s, duty cycle # 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 :s, Schaltverhältnis # 2%
12 01.11.2003

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Hoja de datos destacado

Número de piezaDescripciónFabricantes
BC846BNPN general purpose transistorsNXP Semiconductors
NXP Semiconductors
BC846BNPN General Purpose AmplifierFairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
BC846BNPN Silicon AF Transistors (For AF input stages and driver applications High current gain)Siemens Semiconductor Group
Siemens Semiconductor Group
BC846BNPN Small Signal Transistor 310mWMicro Commercial Components
Micro Commercial Components

Número de piezaDescripciónFabricantes
SLA6805M

High Voltage 3 phase Motor Driver IC.

Sanken
Sanken
SDC1742

12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.

Analog Devices
Analog Devices


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