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Numéro de référence | 2SC4901 | ||
Description | NPN TRANSISTOR | ||
Fabricant | TOP LINK | ||
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2SC4901 高频低噪声宽带晶体管
北京鼎霖电子科技
2SC4901 NPN TRANSISTOR
MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR
1.简述:
本芯片采用硅外延工艺制造,具有高功率增益放大、宽带以及低噪声、低漏
电流、小结电容特性,较大的动态范围,理想的电流线性;
主要应用于超高频微波、VHF、UHF 和 CATV 高频宽带低噪声放大器中,
如电视调谐器、卫星电视接收器、CATV 放大器、模拟数字无绳电话、雷达探测器、
射频模块和光纤模块中的中继放大器等产品;
集电极-基极击穿电压:BVCEO=15V,集电极电流:IC=50mA,特征频率:
fT=9GHz;
封装形式:SOT323 或者 SOT23,本体印字(Marking):YK-。
Collector 3
1
Base
Emitter 2
3
2
1
SOT-323 or SOT23
2.极限参数(Tamb=25℃):
参数名称
集电极-基极击穿电压
集电极-发射极击穿电压
发射极-基极击穿电压
集电极电流
耗散功率
最高结温
储存温度
符号
BVCBO
BVCEO
BVEBO
IC
PT
TJ
Tstg
额定值
15
9
1.5
50
150(SOT323),250(SOT23)
150
-65~+150
3.电参数及规格(Tamb=25℃):
参数名称
集电极截止电流
直流电流放大系数
特征频率
反馈电容
集电极电容
发射极电容
插入功率增益
噪声系数
最大单边功率增益
输出电压
输出功率在 1dB 的增
益压缩
二阶互调失真
符号
ICBO
hFE
fT
Cre
Cc
Ce
∣S21∣2
NF
GUM
VO
PL1
d2
测试条件
最小值
VCB=5V,IE=0
VCE=5V,IC=20mA
VCE=5V,IC=20mA
IC=iC=0,VCB=5V,f=1MHz
IE=ie=0,VCB=5V,f=1MHz
IC=iC=0,VEB=0.5V,f=1MHz
-
60
-
-
-
-
VCE=5V,IC=20mA, f=900MHz
VCE=5V,IC=5mA,f=900MHz
VCE=5V,IC=20mA,f=900MHz
VCE=5V,IC=5mA,f=2GHz
VCE=5V,IC=20mA, f=900MHz
VCE=5V,IC=20mA, f=2GHz
13
-
-
-
-
-
VCE=5V,IC=20mA,RL=50
f=900MHz
VCE=5V,IC=20mA,
VO=75mV,f(p+q) = 900MHz
-
-
典型值
-
120
9
0.4
0.5
1.0
14
1.2
1.6
1.9
15
9
270
17
-50
单位
V
V
V
mA
mW
℃
℃
最大值
0.05
250
-
-
-
-
-
1.6
2.1
-
-
-
-
-
单位
μA
GHz
pF
pF
pF
dB
dB
dB
dB
dB
dB
mV
dBm
dB
www.bjtoplink.com
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No | Description détaillée | Fabricant |
2SC4900 | Silicon NPN Epitaxial | Hitachi Semiconductor |
2SC4901 | Silicon NPN Epitaxial | Hitachi Semiconductor |
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