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3CG1979S fiches techniques PDF

LZG - SILICON PNP TRANSISTOR

Numéro de référence 3CG1979S
Description SILICON PNP TRANSISTOR
Fabricant LZG 
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3CG1979S fiche technique
2SA1979S(3CG1979S)
硅 PNP 半导体三极管/SILICON PNP TRANSISTOR
用途:用于中功率放大。
Purpose: Medium power amplifier applications.
特点:集电极电流大,饱和压降低,与 2SC5342S(3DG5342S)互补。
Features: Large IC,low VCE(sat),complementary pair with the 2SC5342S(3DG5342S).
极限参数/Absolute maximum ratings(Ta=25℃)
参数符号
数值
单位
Symbol
Rating
Unit
VCBO -40 V
VCEO -32 V
VEBO
-5.0
V
IC
-500
mA
PC 200 mW
Tj 150 ℃
Tstg -55~150 ℃
电性能参数/Electrical characteristics(Ta=25℃)
参数符号
Symbol
测试条件
Test condition
VCBO
VCEO
VEBO
ICBO
IEBO
hFE
VCE(sat)
fT
Cob
IC=-100μA
IC=-1.0mA
IE=-10μA
VCB=-40V
VEB=-5.0V
VCE=-1.0V
IC=-100mA
VCE=-6.0V
VCB=-6.0V IE=0
IE=0
IB=0
IC=0
IE=0
IC=0
IC=-100mA
IB=-10mA
IC=-20mA
f=1.0MHz
最小值
Min
-40
-32
-5.0
70
hFE 分档、印章/hFE Classifications、Marking:
hFE 分档/hFE Classifications
O
hFE 范围/hFE Range
70~140
印章/Marking
HAAO
数值
Rating
典型值
Typ
最大值
Max
-0.1
-0.1
240
-0.25
200
7.5
Y
120~240
HAAY
单位
Unit
V
V
V
μA
μA
V
MHz
pF
http://www.lzg.so
.,

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Fiche technique recommandé

No Description détaillée Fabricant
3CG1979S SILICON PNP TRANSISTOR LZG
LZG

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Sony
Sony
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ATMEL
ATMEL
TP9380

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Advanced Semiconductor
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