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PDF 2N2907A Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | 2N2907A | |
| Descripción | Silicon PNP Transistor | |
| Fabricantes | NTE | |
| Logotipo |  |
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2N2907A
Silicon PNP Transistor
Small Signal Switching
TO−18 Type Package
Absolute Maximum Ratings:
Collector−Emitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60V
Collector−Base Voltage, VCBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60V
Emitter−Base Voltage, VEBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V
Continuous Collector Current, IC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600mA
Total
Device Dissipation,
TTAC
=
=
+25C
+25C
.
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.P.D.
...
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500mW
. . 1.0W
Operating Temperature Range, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . −65 to +200C
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . −65 to +200C
Thermal Resistance, Junction−to−Ambient, RthJA . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 325C/W
Thermal Resistance, Junction−to−Case, RthJC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 150C/W
Note 1. Stresses above those listed in Absolute Maximum Ratings may damage the device. If any
of these limits are exceeded, device functionality should not be assumed, damaged may
occur and reliability may be affected.
Electrical Characteristics: (TA = 25C unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Test Conditions
OFF Characteristics
Collector−Emitter Breakdown Voltage
Collector−Emitter Cutoff Current
Collector−Base Cutoff Current
Emitter−Base Cutoff Current
ON Characteristics (Note 2)
V(BR)CEO
ICES
ICBO
IEBO
IC = 10mA
VCE = 50V
VCB = 50V, IE = 0
VCB = 60V, IE = 0
VEB = 4V
VEB = 5V
DC Current Gain
hFE VCE = 10V IC = 0.1mA
IC = 1mA
IC = 10mA
IC = 150mA
IC = 500mA
Collector−Emitter Saturation Voltage VCE(sat) IC = 150mA, IB = 15mA
IC = 500mA, IB = 50mA
Base−Emitter Saturation Voltage
VBE(sat) IC = 150mA, IB = 15mA
IC = 500mA, IB = 50mA
Note 2. Pulse Test: Pulse Width = 300s, Duty Cycle 2%.
Min Typ Max Unit
60 −
−
V
− − 50 nA
− − 10 nA
− − 10 A
− − 50 nA
− − 10 A
75 −
−
100 − 450
100 −
−
100 − 300
50 −
−
− − 0.4
− − 1.6
0.6 − 1.3
− − 2.6
V
V
V
V
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| 2N2907 | PNP switching transistors |  NXP Semiconductors |
| 2N2907 | PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS |  Micro Electronics |
| 2N2907 | 1.8W PNP GENERAL PURPOSE SAMLL SIGNAL TRANSISTORS |  STMicroelectronics |
| 2N2907 | PNP SILICON PLANAR TRANSISTORS |  Siemens Semiconductor Group |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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