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PDF 2N2608 Data sheet ( Hoja de datos )

Número de pieza 2N2608
Descripción JFET GENERAL PURPOSE
Fabricantes Motorola Semiconductors 
Logotipo Motorola Semiconductors Logotipo



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No Preview Available ! 2N2608 Hoja de datos, Descripción, Manual

2N2608
2N2609
CASE 22-03, STYLE 12
TO-18 (TO-206AA)
JFET
GENERAL PURPOSE
P-CHANNEL DEPLETION
Refer to 2N5460 for graphs.
MAXIMUM RATINGS
Rating
Drain-Source Voltage
Drain-Gate Voltage
Gate-Source Voltage
Gate Current
@Total Device Dissipation T/^ = 25°C
Derate above 25°C
Storage Temperature Range
Symbol
vDs
vdg
vqs
'G
PD
T stg
Value
30
30
30
50
300
2.0
- 60 to + 200°C
Unit
Vdc
Vdc
Vdc
mA
mW
mW/°C
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta = 25°C unless otherwise noted.)
OFF CHARACTERISTICS
Characteristic
Gate-Source Breakdown Voltage
dG = 1.0 mA)
Gate Reverse Current
(Vgs = 5.0 V)
Gate Source Cutoff Voltage
(Vqs = -5.0 V, Dl = -1.0/iA)
ON CHARACTERISTICS
Zero-Gate-Voltage Drain Current
(Vqs = " 5.0 V, Vqs = V)
2N2608
2N2609
SMALL-SIGNAL CHARACTERISTICS
Forward Transfer Admittance
(V D s = -5.0 V, f = 1.0 kHz)
2N2608
2N2609
Input Capacitance
(VDS = " 50 V, Vqs = 1.0 V, f = 140 kHz)
2N2608
2N2609
FUNCTIONAL CHARACTERISTICS
Noise Figure
(Vqs = -5.0 V, f = 1.0 kHz, R = 1.0 meg)
"Pulse Width =s 100 msec. Duty Cycle 10%.
Symbol
V(BR)GSS
IGSS
VGS(off)
IDSS*
IVfsl*
C| ss
NF
30
1.0
-0.9
-2.0
1000
2500
-
Max
10
4.0
Unit
Vdc
nA
Vdc
-4.5
-10.0
mA
- /xmhos
PF
17
30
3.0 dB
6-2

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Hoja de datos destacado

Número de piezaDescripciónFabricantes
2N2604Chip Type 2C2605 Geometry 0220 Polarity NPNSemicoa
Semicoa
2N2604PNP Silicon TransistorTexas
Texas
2N2604(2N2604 / 2N2605) PNP SILICON LOW POWER TRANSISTORMicrosemi Corporation
Microsemi Corporation
2N2604PNP SIlicon TransistorCentral
Central

Número de piezaDescripciónFabricantes
SLA6805M

High Voltage 3 phase Motor Driver IC.

Sanken
Sanken
SDC1742

12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.

Analog Devices
Analog Devices


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