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PDF 2N3819 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | 2N3819 | |
| Descripción | N-Channel RF Amplifier | |
| Fabricantes | NTE | |
| Logotipo |  |
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2N3819
N−Channel RF Amplifier
TO−92 Type Package
Description:
The 2N3819 is a N−Channel RF Amplifier transistor designed for RF amplifier and mixer applications
operating up to 450Mhz, and for analog switching requiring low capacitance.
Absolute Maximum Ratings: (TC = +25C, Note 1 unless otherwise specified)
Drain−Gate Voltage, VDG . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25V
Gate−Source Voltage, VGS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . −25V
Drain Current, ID . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50mA
Forward Gate Current, IGF . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10 mA
Total Device Dissipation (TA = +25C ), PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 350mW
Derate Above +25C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.8mW/C
Storage Temperature Range, TSTG . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . −55 to 150C
Thermal Resistance, Junction−to−Case, RthJC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 125C/W
Thermal Resistance, Junction−to−Ambient, RthJA . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35C/W
Note 1. These ratings are limiting values above which the serviceability of the device may be im-
paired and are based on maximum temperature of +150C.
Electrical Characteristics: (TA = +25C unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Test Conditions
OFF Characteristics
Gate−Source Breakdown Voltage
Gate Reverse Current
Gate−Source Cutoff Voltage
Gate−Source Voltage
ON Characteristics
V(BR)GSS
IGSS
VGS(off)
VDS
IG = −1.0A, VDS = 0
VGS = −15V, VDS = 0
VDS = 15V, ID = 2.0nA
VDS = 15V, ID = 200
Zero−Gate Voltage Drain Current
IDSS
VDS = 15V, ID = 0
Min Typ Max Unit
25 −
−
V
− − 2.0 nA
− − 8.0 V
−0.5 − 7.5
V
2.0 − 20 mA
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| 2N3810 | Type 2N3810 Geometry 0220 Polarity PNP |  Semicoa Semiconductor |
| 2N3810 | PNP SILICON DUAL TRANSISTOR |  Microsemi Corporation |
| 2N3810 | (2N3806 - 2N3811) Dual AMplifier Transistors |  Motorola Semiconductors |
| 2N3810 | PNP Silicon Dual Amplifier Transistor |  NES |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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