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PDF 2N4126 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | 2N4126 | |
| Descripción | Silicon PNP Transistor | |
| Fabricantes | NTE | |
| Logotipo |  |
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2N4125 & 2N4126
Silicon PNP Transistor
Audio Amplifier, Switch
TO92 Type Package
Absolute Maximum Ratings:
Collector−Emitter
2N4125 . .
Voltage,
........
V. .C.E.O.
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30V
2N4126 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25V
Collector−Base
2N4125
Voltage,
........
V. .C.B.O.
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30V
2N4126 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25V
Emitter−Base Voltage, VEBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4V
Continuous Collector Current, IC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200mA
Total
DDeveircaeteDAisbsoipvaeti2o5n5(CTA.
=
..
+255C),
.......
.P.D.
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..
..
625mW
5mW/5C
Total
DDeveircaeteDAisbsoipvaeti2o5n5(CTC.
=
..
.+.2.5.5.C.).,.P. D. .
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. . . . 1.5W
12mW/5C
Operating Junction Temperature Range, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . −555 to +1505C
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . −555 to +1505C
Thermal Resistance, Junction to Case, RthJC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 83.35C/W
Thermal Resistance, Junction to Ambient, RthJA . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2005C/W
Electrical Characteristics: (TA = +255C unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Test Conditions
OFF Characteristics
Collector−Emitter Breakdown Voltage
2N4125
V(BR)CEO IC = 1mA, IE = 0, Note 1
2N4126
Collector−Base Breakdown Voltage
2N4125
V(BR)CBO IC = 105 A, IE = 0
2N4126
Emitter−Base Breakdown Voltage
Collector Cutoff Current
Base Cutoff Current
ON Characteristics (Note 1)
V(BR)EBO
ICBO
IBL
IE = 105 A, IC = 0
VCB = 20V, IE = 0
VBE = 3V, IC = 0
DC Current Gain
2N4125
hFE VCE = 1V, IC = 2mA
2N4126
2N4125
2N4126
VCE = 1V, IC = 50mA
Min Typ Max Unit
30 −
25 −
−
−
30 − −
25 − −
4−−
− − 50
− − 50
V
V
V
V
V
nA
nA
50 − 150
120 − 360
25 − −
60 − −
Note 1. Pulse Test: Pulse Width 3 3005 s, Duty Cycle = 2%.
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| 2N4123 | General Purpose Transistors(NPN Silicon) |  ON Semiconductor |
| 2N4123 | NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR |  Samsung semiconductor |
| 2N4123 | NPN General Purpose Amplifier |  Fairchild Semiconductor |
| 2N4123 | NPN Silicon General Purpose Transistor 625mW |  Micro Commercial Components |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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