P0R5B60HP2 Datasheet PDF - SHINDENGEN
| Part Number | P0R5B60HP2 | |
| Description | Power MOSFET ( Transistor ) | |
| Manufacturers | SHINDENGEN | |
| Logo |  |
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Nch PowerMOSFET
P0R5B60HP2
■外観図 OUTLINE
Package：FB
Unit：mm
600V0.5A
特長
煙面実装タイプ
煙高耐圧
煙低ノイズ
煙高アバランシェ耐量、高 di/dt耐量
Feature
煙SMD
煙HighVoltage
煙LowNoise
煙HighAvalancheDurability,Highdi/dtDurability
P0RB60H2
000000
外形図については新電元 Webサイトをご参照下さい。捺印表示については
捺印仕様をご確認下さい。
Fordetailsoftheoutlinedimensions,refertoourweb site.Asforthe
marking,refertothespecification"Marking,TerminalConnection".
■定格表 RATINGS
●絶対最大定格 AbsoluteMaximum Ratings（指定のない場合 Tc＝25℃/unlessotherwisespecified）
項目
Item
記号
Symbol
条件
Conditions
規格値
Ratings
単位
Unit
保存温度
StorageTemperature
チャネル温度
ChannelTemperature
ドレイン・ソース間電圧
Drain-SourceVoltage
ゲート・ソース間電圧
GateSourceVoltage
ドレイン電流（直流）
ContinuousDrainCurrent(DC)
ドレイン電流（ピーク）
ContinuousDrainCurrent(Peak)
ソース電流（ピーク）
ContinuousSourceCurrent（DC）
全損失
TotalPowerDissipation
繰り返しアバランシェ電流
RepetitiveAvalancheCurrent
単発アバランシェエネルギー
SingleAvalancheEnergy
繰り返しアバランシェエネルギー
RepetitiveAvalancheEnergy
ドレイン・ソースダイオード di/dt耐量
Drain-SourceDiodedi/dtStrength
Tstg
Tch
VDSS
VGSS
ID
IDP
パルス幅 10μs,duty=1/100
Pulsewidth10µs,duty=1/100
IS
PT
IAR StartingTch=25℃,Tch≦150℃
EAS StartingTch=25℃,Tch≦150℃
EAR StartingTch=25℃,Tch≦150℃
di/dt Is＝0.5A,Tc＝25℃
－55～150
150
600
±30
0.5
2
0.5
35
0.5
5
0.5
350
℃
V
A
W
A
mJ
mJ
A/μs
●電気的・熱的特性 ElectricalCharacteristics（指定のない場合 Tc＝25℃/unlessotherwisespecified）
項目
Item
記号
Symbol
条件
Conditions
規格値 Ratings 単位
MIN TYP MAX Unit
ドレイン・ソース間降伏電圧
Drain-SourceBreakdownVoltage
V（BR）DSS ID＝1mA,VGS＝0V
ドレイン遮断電流
ZeroGateVoltageDrainCurrent
IDSS VDS＝600V,VGS＝0V
ゲート漏れ電流
Gate-SourceLeakageCurrent
IGSS VGS＝±25V,VDS＝0V
順伝達コンダクタンス
ForwardTransconductance
gfs ID＝0.25A,VDS＝10V
ドレイン・ソース間オン抵抗
RStaticDrain-SourceOn-stateResistance （DS）ON
ID＝0.25A,VGS＝10V
ゲートしきい値電圧
GateThresholdVoltage
VTH ID＝1mA,VDS＝10V
ソース・ドレイン間ダイオード順電圧
Source-DrainDiodeForwardVoltage
VSD
IS＝ 0.25A,VGS＝0V
熱抵抗
ThermalResistance
θjc 接合部・ケース間
Junctiontocase
ゲート全電荷量
TotalGateCharge
Qg VDD＝400V,VGS＝10V,ID＝0.5A
入力容量
InputCapacitance
Ciss
帰還容量
ReverseTransferCapacitance
Crss VDS＝50V,VGS＝0V,f＝1MHz
出力容量
OutputCapacitance
Coss
ターンオン遅延時間
Turn-ondelaytime
td（on）
上昇時間
Risetime
tr ID＝0.25A,RL＝600Ω,VDD＝150V,Rg＝50Ω,
ターンオフ遅延時間
Turn-offdelaytime
td（off） VGS（＋）＝10V,VGS（－）＝0V
降下時間
Falltime
tf
600
─
─
0.4
─
3.00
─
─
─
─
─
─
─
─
─
─
─
─
─
0.8
8.3
3.75
─
─
4.3
120
3.3
18
9
5
26
30
─V
100
±10 μA
─S
10.0 Ω
4.50
1.5
V
3.55 ℃/W
─ nC
─
─ pF
─
─
─ ns
─
─
（MOS-p〈2014.03〉）
www.shindengen.co.jp/product/semi/
|
| |
Part DetailsOn this page, you can learn information such as the schematic, equivalent, pinout, replacement, circuit, and manual for P0R5B60HP2 electronic component. |
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Electronic Components Distributor
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An electronic components distributor is a company that sources, stocks, and sells electronic components to manufacturers, engineers, and hobbyists. |
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Featured Datasheets
| Part Number | Description | MFRS |
| P0R5B60HP2 | The function is Power MOSFET ( Transistor ). SHINDENGEN | |
Semiconductors commonly used in industry:
1N4148 |
BAW56 |
1N5400 |
NE555 | | ||
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