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PDF P9B40HP2 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | P9B40HP2 | |
| Descripción | Power MOSFET ( Transistor ) | |
| Fabricantes | SHINDENGEN | |
| Logotipo |  |
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Nch
P9B40HP2
PowerMOSFET
■外観図 OUTLINE
Package：FB
Unit：mm
400V9A
特長
煙面実装タイプ
煙高耐圧
煙低ノイズ
煙低オン抵抗
Feature
煙SMD
煙HighVoltage
煙LowNoise
煙LowRON
P9B40H2
000000
外形図については新電元 Webサイトをご参照下さい。捺印表示については
捺印仕様をご確認下さい。
Fordetailsoftheoutlinedimensions,refertoourweb site.Asforthe
marking,refertothespecification"Marking,TerminalConnection".
■定格表 RATINGS
●絶対最大定格 AbsoluteMaximum Ratings（指定のない場合 Tc＝25℃/unlessotherwisespecified）
項目
Item
記号
Symbol
条件
Conditions
規格値
Ratings
単位
Unit
保存温度
StorageTemperature
チャネル温度
ChannelTemperature
ドレイン・ソース間電圧
Drain-SourceVoltage
ゲート・ソース間電圧
Gate-SourceVoltage
ドレイン電流（直流）
ContinuousDrainCurrent(DC)
ドレイン電流（ピーク）
ContinuousDrainCurrent(Peak)
ソース電流（直流）
ContinuousSourceCurrent(DC)
全損失
TotalPowerDissipation
繰り返しアバランシェ電流
RepetitiveAvalancheCurrent
単発アバランシェエネルギー
SingleAvalancheEnergy
繰り返しアバランシェエネルギー
RepetitiveAvalancheEnergy
ドレイン・ソース間ダイオード
Drain-SourceDiode
Tstg
Tch
VDSS
VGSS
ID
IDP
パルス幅 10μs,duty=1/100
Pulsewidth10µs,duty=1/100
IS
PT
IAR
EAS
EAR
Tch=150℃
Tc＝Tchからのスターティング温度 Tch＝25℃
StartingtemperatureTch=Tc,Tch=25˚C
Tc＝Tchからのスターティング温度 Tch＝25℃
StartingtemperatureTch=Tc,Tch=25˚C
di/dt Is＝9A,Tc＝25℃
－55～150
150
400
±30
9
36
9
40
9
37
3.7
350
℃
V
A
W
A
mJ
A/μs
●電気的・熱的特性 ElectricalCharacteristics（指定のない場合 Tc＝25℃/unlessotherwisespecified）
項目
Item
記号
Symbol
条件
Conditions
規格値 Ratings 単位
MIN TYP MAX Unit
ドレイン・ソース間降伏電圧
Drain-SourceBreakdownVoltage
V（BR）DSS ID＝1mA,VGS＝0V
ドレイン遮断電流
ZeroGateVoltageDrainCurrent
IDSS VDS＝400V,VGS＝0V
ゲート漏れ電流
Gate-SourceLeakageCurrent
IGSS VGS＝±25V,VDS＝0V
順伝達コンダクタンス
ForwardTransconductance
gfs ID＝4.5A,VDS＝10V
ドレイン・ソース間オン抵抗
StaticDrain-SourceOn-stateResistance
R（DS）ON
ID＝4.5A,VGS＝10V
ゲートしきい値電圧
GateThresholdVoltage
VTH ID＝1mA,VDS＝10V
ソース・ドレイン間ダイオード順電圧
Source-DrainDiodeForwardVoltage
VSD
IS＝4.5A,VGS＝0V
熱抵抗
ThermalResistance
θjc 接合部・ケース間
Junctiontocase
ゲート全電荷量
TotalGateCharge
Qg VDD＝320V,VGS＝10V,ID＝9A
入力容量
InputCapacitance
Ciss
帰還容量
ReverseTransferCapacitance
Crss VDS＝50V,VGS＝0V,f＝1MHz
出力容量
OutputCapacitance
Coss
ターンオン遅延時間
Turn-ondelaytime
td（on）
上昇時間
Risetime
tr ID＝4.5A,RL＝33.3Ω,VDD＝150V,
ターンオフ遅延時間
Turn-offdelaytime
td（off） VGS（＋）＝10V,VGS（－）＝0V
降下時間
Falltime
tf
400
─
─
3.5
─
3.0
─
─
─
─
─
─
─
─
─
─
─
─
─
7.0
0.65
3.75
─
─
14.5
575
5
60
8.5
30
50
25
─V
100 μA
±10 μA
─S
0.80 Ω
4.5 V
1.5
3.12 ℃/W
─ nC
─
─ pF
─
─
─
ns
─
─
（MOS-P〈2016.02〉）
www.shindengen.co.jp/product/semi/
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| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| P9B40HP2 | Power MOSFET ( Transistor ) | SHINDENGEN |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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