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Numéro de référence | P13LA10EL | ||
Description | Power MOSFET ( Transistor ) | ||
Fabricant | SHINDENGEN | ||
Logo | |||
Nch
P13LA10EL
PowerMOSFET
■外観図 OUTLINE
Package:LA
Unit:mm
100V13A
特長
煙薄型 SMD
煙4.5V駆動
煙低オン抵抗
煙低容量
Feature
煙ThinPackage
煙4.5VGateDrive
煙LowRON
煙LowCapacitance
13A10EL
000000
外形図については新電元 Webサイトをご参照下さい。捺印表示については
捺印仕様をご確認下さい。
Fordetailsoftheoutlinedimensions,refertoourweb site.Asforthe
marking,refertothespecification"Marking,TerminalConnection".
■定格表 RATINGS
●絶対最大定格 AbsoluteMaximum Ratings(指定のない場合 Ta=25℃/unlessotherwisespecified)
項目
Item
記号
Symbol
条件
Conditions
規格値
Ratings
単位
Unit
保存温度
StorageTemperature
チャネル温度
ChannelTemperature
ドレイン・ソース間電圧
Drain-SourceVoltage
ゲート・ソース間電圧
GateSourceVoltage
ドレイン電流(直流)
ContinuousDrainCurrent(DC)
ドレイン電流(ピーク)
ContinuousDrainCurrent(Peak)
全損失
TotalPowerDissipation
単発アバランシェ電流
SingleAvalancheCurrent
単発アバランシェエネルギー
SingleAvalancheEnergy
Tstg
Tch
VDSS
VGSS
ID
IDP
PT
IAS
EAS
パルス幅 10μs,duty=1/100
Pulsewidth10µs,duty=1/100
StartingTch=25℃,Tch≦150℃
StartingTch=25℃,Tch≦150℃
-55~150
150
100
±20
13
52
1.7
13
23
℃
V
A
W
A
mJ
●電気的・熱的特性 ElectricalCharacteristics(指定のない場合 Ta=25℃/unlessotherwisespecified)
項目
Item
記号
Symbol
条件
Conditions
規格値 Ratings 単位
MIN TYP MAX Unit
ドレイン・ソース間降伏電圧
Drain-SourceBreakdownVoltage
ドレイン遮断電流
ZeroGateVoltageDrainCurrent
ゲート漏れ電流
Gate-SourceLeakageCurrent
順伝達コンダクタンス
ForwardTransconductance
V(BR)DSS ID=1mA,VGS=0V
IDSS VDS=100V,VGS=0V
IGSS VGS=±20V,VDS=0V
gfs ID=6.5A,VDS=10V
ドレイン・ソース間オン抵抗
RStaticDrain-SourceOn-stateResistance (DS)ON
ID=6.5A,VGS=10V
ID=6.5A,VGS=4.5V
ゲートしきい値電圧
GateThresholdVoltage
VTH ID=1mA,VDS=10V
ソース・ドレイン間ダイオード順電圧
Source-DrainDiodeForwardVoltage
VSD
IS=13A,VGS=0V
熱抵抗
ThermalResistance
θja 接合部・周囲間
Junctiontoambient
ゲート全電荷量
TotalGateCharge
Qg
ゲート・ソース電荷量
GatetoSourceCharge
Qgs VDD=80V,VGS=10V,ID=13A
ゲート・ドレイン電荷量
GatetoDrainCharge
Qgd
入力容量
InputCapacitance
Ciss
帰還容量
ReverseTransferCapacitance
Crss VDS=25V,VGS=0V,f=1MHz
出力容量
OutputCapacitance
Coss
ターンオン遅延時間
Turn-ondelaytime
td(on)
上昇時間
Risetime
tr ID=6.5A,RL=7.7Ω,VDD=50V,Rg=0Ω,
ターンオフ遅延時間
Turn-offdelaytime
td(off) VGS(+)=10V,VGS(-)=0V
降下時間
Falltime
tf
ダイオード逆回復時間
DiodeReverseRecoveryTime
ダイオード逆回復電荷量
DiodeReverseRecoveryCharge
trr
Qrr
IF=13A,VGS=0V,di/dt=100A/μs
100
─
─
12
─
─
1.5
─
─
─
─
─
─
─
─
─
─
─
─
─
─
─
─
─
24
16.0
17.5
2.0
─
─
57
8.5
15
2950
120
250
8.5
7.0
24.0
3.5
60
140
─
1
±0.1
─
20.0
23.4
2.5
1.5
73
─
─
─
─
─
─
─
─
─
─
─
─
V
μA
S
mΩ
V
℃/W
nC
pF
ns
ns
nC
(MOS-p〈2014.03〉)
www.shindengen.co.jp/product/semi/
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No | Description détaillée | Fabricant |
P13LA10EL | Power MOSFET ( Transistor ) | SHINDENGEN |
US18650VTC5A | Lithium-Ion Battery | Sony |
TSPC106 | PCI Bus Bridge Memory Controller | ATMEL |
TP9380 | NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR | Advanced Semiconductor |
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