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Numéro de référence | D30FD60K | ||
Description | Fast Recovery Diode | ||
Fabricant | SHINDENGEN | ||
Logo | |||
1 Page
Single
FastRecoveryDiode
D30FD60K
■外観図 OUTLINE
Package:FD
600V30A
特長
煙 SMD
煙高耐圧
煙低ノイズ
Feature
煙 SMD
煙 HighVoltage
煙 LowNoise
0000
30FD60K
Unit:mm
外形図については新電元 Webサイトをご参照下さい。捺印表示については
捺印仕様をご確認下さい。
Fordetailsoftheoutlinedimensions,refertoourweb site.Asforthe
marking,refertothespecification"Marking,TerminalConnection".
■定格表 RATINGS
●絶対最大定格 AbsoluteMaximum Ratings(指定のない場合は Tc=25℃/unlessotherwisespecified)
項目
Item
記号
Symbol
条件
Conditions
規格値
Ratings
単位
Unit
保存温度
StorageTemperature
接合部温度
OperatingJunctionTemperature
せん頭逆電圧
Maximum ReverseVoltage
出力電流
AverageRectifiedForwardCurrent
せん頭サージ順電流
PeakSurgeForwardCurrent
Tstg
Tj
VRM
Io
IFSM
IFSM1
50Hz正弦波,抵抗負荷,フィン付き Tc=102℃
50Hzsinewave,Resistanceload,WithheatsinkTc=102˚C
50Hz正弦波,非繰り返し 1サイクルせん頭値,Tj=25℃
50Hzsinewave,Non-repetitive1cyclepeakvalue,Tj=25˚C
tp=1ms,Tj=25℃,非繰り返し
tp=1ms,Tj=25˚C,Non-repetitive
-55~150
150
600
30
300
948
℃
℃
V
A
A
●電気的・熱的特性
順電圧
ForwardVoltage
逆電流
ReverseCurrent
逆回復時間
ReverseRecoveryTime
接合容量
JunctionCapacitance
熱抵抗
ThermalResistance
ElectricalCharacteristics(指定のない場合は Tc=25℃/unlessotherwisespecified)
VF IF= 30A,
IR VR=600V,
パルス測定
Pulsemeasurement
パルス測定
Pulsemeasurement
MAX 1.7
MAX 10
V
μA
IF=0.5A,IR=1A,0.25IR
MAX 95
trr IF=1.0A,VR=30V,di/dt=-50A/μs,0.25IR
MAX 72
ns
IF=1.0A,VR=420V,di/dt=-50A/μs,0.25IR
MAX 84
Cj
θjc
θja
f=1MHz,VR=10V
接合部・ケース間 ,フィン付き
Junctiontocase,withheatsink
接合部・周囲間
JunctiontoAmbient
TYP 105
MAX 0.8
MAX 65
pF
℃/W
℃/W
(J532-p〈2013.04〉)
www.shindengen.co.jp/product/semi/
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No | Description détaillée | Fabricant |
D30FD60K | Fast Recovery Diode | SHINDENGEN |
US18650VTC5A | Lithium-Ion Battery | Sony |
TSPC106 | PCI Bus Bridge Memory Controller | ATMEL |
TP9380 | NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR | Advanced Semiconductor |
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