DataSheetWiki


D8FD60LUS fiches techniques PDF

SHINDENGEN - Fast Recovery Diode

Numéro de référence D8FD60LUS
Description Fast Recovery Diode
Fabricant SHINDENGEN 
Logo SHINDENGEN 





1 Page

No Preview Available !





D8FD60LUS fiche technique
Single
FastRecoveryDiode
D8FD60LUS
■外観図 OUTLINE
PackageFD
600V8A
特長
SMD
高耐圧
低ノイズ
Feature
SMD
HighVoltage
LowNoise
0000
8FD60LUS
Unit:mm
外形図については新電元 Webサイトをご参照下さい。捺印表示については
捺印仕様をご確認下さい。
Fordetailsoftheoutlinedimensions,refertoourweb site.Asforthe
marking,refertothespecification"Marking,TerminalConnection".
■定格表 RATINGS
●絶対最大定格 AbsoluteMaximum Ratings指定のない場合は Tc=25℃/unlessotherwisespecified)
項目
Item
記号
Symbol
条件
Conditions
規格値
Ratings
単位
Unit
保存温度
StorageTemperature
接合部温度
OperatingJunctionTemperature
せん頭逆電圧
Maximum ReverseVoltage
出力電流
AverageRectifiedForwardCurrent
せん頭サージ順電流
PeakSurgeForwardCurrent
Tstg
Tj
VRM
Io
IFSM
IFSM1
50Hz正弦波,抵抗負荷 ,Tc=120℃
50Hzsinewave,Resistanceload,Tc=120˚C
50Hz正弦波,非繰り返し 1サイクルせん頭値,Tj=25℃
50Hzsinewave,Non-repetitive1cyclepeakvalue,Tj=25˚C
tp=1ms正弦波,非繰り返し 1サイクルせん頭値,Tj=25℃
tp=1msSinewave,Non-repetitive1cyclepeakvalue,Tj=25˚C
-55~175
175
600
8
60
120
V
A
A
●電気的・熱的特性
順電圧
ForwardVoltage
逆電流
ReverseCurrent
逆回復時間
ReverseRecoveryTime
接合容量
JunctionCapacitance
熱抵抗
ThermalResistance
ElectricalCharacteristics指定のない場合は Tc=25℃/unlessotherwisespecified)
VF IF= 8A,
IR VR=600V,
パルス測定
Pulsemeasurement
パルス測定
Pulsemeasurement
MAX 3.6
MAX 50
V
μA
trr IF=0.5A,IR=1.0A,0.1IR
MAX 25
ns
Cj
θjc
f=1MHz,VR=10V
接合部・ケース間
Junctiontocase
TYP 24
MAX 2.3
pF
℃/W
J532-p2013.04〉)
www.shindengen.co.jp/product/semi/

PagesPages 4
Télécharger [ D8FD60LUS ]


Fiche technique recommandé

No Description détaillée Fabricant
D8FD60LUS Fast Recovery Diode SHINDENGEN
SHINDENGEN

US18650VTC5A

Lithium-Ion Battery

Sony
Sony
TSPC106

PCI Bus Bridge Memory Controller

ATMEL
ATMEL
TP9380

NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

Advanced Semiconductor
Advanced Semiconductor


www.DataSheetWiki.com    |   2020   |   Contactez-nous  |   Recherche