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EMS30D12E fiches techniques PDF

Excelliance MOS - Schottky Rectifier ( Diode )

Numéro de référence EMS30D12E
Description Schottky Rectifier ( Diode )
Fabricant Excelliance MOS 
Logo Excelliance MOS 





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EMS30D12E fiche technique
 
 
Dual HighVoltage Trench Barrier Schottky Rectifier 
Product Summary: 
VRRM 
VF @ IF=15A 
IF(AV) 
120V 
0.66V 
2 x 15A 
 
Trench Schottky Technology 
PbFree Lead Plating & Halogen Free 
 
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted) 
PARAMETERS/TEST CONDITIONS 
SYMBOL 
Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage 
Maximum Average Forward Rectified Current 
Per device
Per diode 
VRRM 
IF(AV) 
Peak Forward Surge Current 8.3mS Single Half Sinewave 
Superimposed on Rated Load per Diode 
Operating Junction & Storage Temperature Range 
 
THERMAL RESISTANCE RATINGS 
THERMAL RESISTANCE 
SYMBOL 
IFSM 
Tj, Tstg 
TYPICAL 
JunctiontoCase 
RJC 
1Pulse width limited by maximum junction temperature. 
2Duty cycle  1 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
2015/4/30 
 
EMS30D12E
LIMITS 
120 
30 
15 
150 
40 to 150 
UNIT 
V 
A 
°C 
MAXIMUM 
2.8 
UNIT 
°C / W 
p.1 

PagesPages 4
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