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EMF16P01VAT fiches techniques PDF

Excelliance MOS - Field Effect Transistor

Numéro de référence EMF16P01VAT
Description Field Effect Transistor
Fabricant Excelliance MOS 
Logo Excelliance MOS 





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EMF16P01VAT fiche technique
 
 
PChannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 
Product Summary: 
BVDSS 
10V 
D
RDSON (MAX.) 
16mΩ 
ID 
10A 
G
 
 S
PbFree Lead Plating & Halogen Free 
 
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted) 
PARAMETERS/TEST CONDITIONS 
Bottom View
S DD
SD
GD D
PIN 1
SYMBOL 
EMF16P01VAT
LIMITS 
UNIT 
GateSource Voltage 
Continuous Drain Current 
Pulsed Drain Current1 
TA = 25 °C 
TA = 70 °C 
Power Dissipation 
TA = 25 °C 
TA = 70 °C 
Operating Junction & Storage Temperature Range 
 
 
 
THERMAL RESISTANCE RATINGS 
THERMAL RESISTANCE 
SYMBOL 
VGS 
ID 
IDM 
PD 
Tj, Tstg 
TYPICAL 
±8 
10 
7.8 
40 
2.08 
1.33 
55 to 150 
V 
A 
W 
°C 
MAXIMUM 
UNIT 
JunctiontoCase 
RJC 
JunctiontoAmbient3 
RJA 
1Pulse width limited by maximum junction temperature. 
2Duty cycle  1 
360°C / W when mounted on a 1 in2 pad of 2 oz copper. 
 
 
 
 
 
12 
°C / W 
60 
2015/2/26 
p.1 

PagesPages 5
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