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EMBA3P03JS fiches techniques PDF

Excelliance MOS - Field Effect Transistor

Numéro de référence EMBA3P03JS
Description Field Effect Transistor
Fabricant Excelliance MOS 
Logo Excelliance MOS 





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EMBA3P03JS fiche technique
 
 
PChannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 
Product Summary: 
BVDSS 
30V 
D
RDSON (MAX.) 
125mΩ 
ID 
3.1A 
G
 
 S
PbFree Lead Plating & Halogen Free 
 
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted) 
PARAMETERS/TEST CONDITIONS 
SYMBOL 
GateSource Voltage 
Continuous Drain Current 
Pulsed Drain Current1 
TA = 25 °C 
TA = 70 °C 
Power Dissipation 
TA = 25 °C 
TA = 70 °C 
Operating Junction & Storage Temperature Range 
 
 
 
THERMAL RESISTANCE RATINGS 
THERMAL RESISTANCE 
SYMBOL 
VGS 
ID 
IDM 
PD 
Tj, Tstg 
TYPICAL 
JunctiontoAmbient3 
RJA (T ≤ 10sec)
RJA (Steady State)
1Pulse width limited by maximum junction temperature. 
2Duty cycle  1 
3The device mounted on a 1 in2 pad of 2 oz copper. 
 
 
 
 
 
2015/7/15 
EMBA3P03JS
LIMITS 
±20 
3.1 
2.1 
12 
1.04 
0.66 
55 to 150 
UNIT 
V 
A 
W 
°C 
MAXIMUM 
83 
120 
UNIT 
°C / W 
p.1 

PagesPages 5
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