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EMZFA1P03Z fiches techniques PDF

Excelliance MOS - Field Effect Transistor

Numéro de référence EMZFA1P03Z
Description Field Effect Transistor
Fabricant Excelliance MOS 
Logo Excelliance MOS 





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EMZFA1P03Z fiche technique
 
 
PChannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 
Product Summary: 
BVDSS 
30V 
RDSON (MAX.) 
110mΩ 
ID  ‐2.4A 
 
 
PbFree Lead Plating & Halogen Free 
ESD Protection 
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted) 
PARAMETERS/TEST CONDITIONS 
SYMBOL 
GateSource Voltage 
Continuous Drain Current 
Pulsed Drain Current1 
TA = 25 °C 
TA = 70 °C 
Power Dissipation 
TA = 25 °C 
TA = 70 °C 
Operating Junction & Storage Temperature Range 
 
 
 
THERMAL RESISTANCE RATINGS 
THERMAL RESISTANCE 
SYMBOL 
JunctiontoAmbient3 
RJA 
1Pulse width limited by maximum junction temperature. 
2Duty cycle  1 
395°C / W when mounted on a 1 in2 pad of 2 oz copper. 
 
 
 
 
 
2015/9/2 
VGS 
ID 
IDM 
PD 
Tj, Tstg 
TYPICAL 
 
EMZFA1P03Z
LIMITS 
±12 
2.4 
1.8 
9.6 
1.3 
0.84 
55 to 150 
UNIT 
V 
A 
W 
°C 
MAXIMUM 
95 
UNIT 
°C / W 
p.1 

PagesPages 5
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