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PDF EMB08N06A Data sheet ( Hoja de datos )

Número de pieza EMB08N06A
Descripción Field Effect Transistor
Fabricantes Excelliance MOS 
Logotipo Excelliance MOS Logotipo



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No Preview Available ! EMB08N06A Hoja de datos, Descripción, Manual

 
 
NChannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 
Product Summary: 
BVDSS 
60V 
D
RDSON (MAX.) 
8mΩ 
ID  60A  G
 
UIS, Rg 100% Tested 
S
PbFree Lead Plating & Halogen Free 
 
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted) 
PARAMETERS/TEST CONDITIONS 
SYMBOL 
EMB08N06A
LIMITS 
UNIT 
GateSource Voltage 
Continuous Drain Current 
Pulsed Drain Current1,3 
TC = 25 °C 
TC = 100 °C 
Avalanche Current 
Avalanche Energy 
Repetitive Avalanche Energy2 
L = 0.1mH, ID=60A, RG=25Ω 
L = 0.05mH 
Power Dissipation 
TC = 25 °C 
TC = 100 °C 
Operating Junction & Storage Temperature Range 
VGS 
ID 
IDM 
IAS 
EAS 
EAR 
PD 
Tj, Tstg 
±20 
60 
35 
170 
60 
180 
90 
50 
20 
55 to 150 
V 
A 
mJ 
W 
°C 
100% UIS testing in condition of VD=30V, L=0.1mH, VG=10V, IL=40A, Rated VDS=60V N-CH 
THERMAL RESISTANCE RATINGS 
THERMAL RESISTANCE 
SYMBOL 
TYPICAL 
MAXIMUM 
UNIT 
JunctiontoCase 
RJC 
JunctiontoAmbient 
RJA 
1Pulse width limited by maximum junction temperature. 
2Duty cycle  1 
3Pulsed drain current rating is package limited. 
 
 
 
2.5 
°C / W 
75 
2015/7/15 
p.1 

1 page




EMB08N06A pdf
 
 
Gate Charge Characteristics
  10
I D  = 40A
 8
  VD  S  = 15V 30V
 6
 4
 
 2
 0
0
 
15 30 45
Q g  ‐ Gate Charge( nC )
60
  EMB08N06A
4000
3000
Ciss
Capacitance Characteristics
f  =  1MHz
VG  S  = 0 V
2000
1000
0
0
Coss
Crss
15 30 45
VD  S ‐ DrainSource Voltage( V )
60
 
1000
 
M a xim u m  S a fe  O p e ra tin g  A re a
   1 0 0
R
 
 
d
 s
 (o n 
) 
L
i
m
i
t
  10
 
1 0μ  s
1m s 100 μ s
D
1
C
0
10m
0ms
s
Single Pulse Maximum Power Dissipation
3000
RSθi n JC g =le 2 P.5u° Cls/eW
TC  = 25° C
2500
2000
1500
1000
  1 V G  S =   1 0 V
S IN G LE  P U LS E
  R θ   J C  =   2 . 5  °C / W
T c   =  2 5  °C
0 .1
  0 .1 1
10
V D   S  , D r a i n ‐   S o u r c e   V o l t a g e (   V   )
 
100
500
0
0.01
0.1 1 10
Single Pulse Time( sec ) 
100
1000
  Transient Thermal Response Curve
  100
  D=0.5
  0.2
  0.1
101
  0.05
Note :
  1. RθJC(t)=2.5°C/W Max.
  2. Duty Cycle, D=t1/ t2
  3. TJM ‐ TC=PDM*RθJC(t)
  0.02
0.01
  102
single pulse
PDM
t1
t2
 
  105 104 103 102 101 100
t1,Time( sec )
101
 
 
 
 
 
 
2015/7/15 
p.5 

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Hoja de datos destacado

Número de piezaDescripciónFabricantes
EMB08N06AField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS
EMB08N06HField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS

Número de piezaDescripciónFabricantes
SLA6805M

High Voltage 3 phase Motor Driver IC.

Sanken
Sanken
SDC1742

12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.

Analog Devices
Analog Devices


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